1) Pt spacer
Pt插层
1.
The Pt spacer,inserted between sputtered NiFe and FeMn layers,was deposited by magnetron sputtering.
一个重要的现象是当Pt插层厚度为0。
2) PT seedings
PT种子层
1.
The effect of the prepared PZT thin films with PT seedings on the microstructure and electrical properties were investigated.
以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/siO2/si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层,采用改进的sol-gel工艺制备出无裂纹,致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀的单一钙钛矿结构的Pb(Zr0。
3) platinum aluminide coating
Pt-Al涂层
1.
This paper presents a brief review of the development history of the platinum aluminide coating system, discusses the various coating morphologies observed.
综述了Pt-Al涂层的发展历史 ,讨论了不同涂层的表面形貌以及可能的形成机制 。
4) Pt underlayer
Pt底层
1.
TbFeCo/Pt amorphous perpendicular magnetization films were prepared onto glass substrate by RF magnetron sputtering and the effect of Pt underlayer on the magnetic and magneto-optical properties of TbFeCo films was investigated.
采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了TbFeCo/Pt非晶垂直磁化膜,研究了Pt底层对TbFeCo薄膜磁性能与磁光性能的影响。
5) PT seeding-layer
PT过渡层
6) Fe/Pt multilayer
Fe/Pt多层膜
补充资料：插层反应
分子式：
CAS号：
性质：嵌入反应中的主体反应物(基质)为层状结构时，客体分子G嵌入层间生成夹层结构。如石墨生成一阶、二阶或三阶嵌入化合物，插层反应的特征是，要有一定的结构开放性，能允许外来原子或离子易于扩散进或逸出晶体。大量层状结构化合物有能力发生插层反应。实验证明，当嵌入的金属有机物为具有低离子化能的良好还原剂时，就可实现电子从客体向主体的转移。这对制备具有较高超导转变温度的材料显示出良好前景。
CAS号：
性质：嵌入反应中的主体反应物(基质)为层状结构时，客体分子G嵌入层间生成夹层结构。如石墨生成一阶、二阶或三阶嵌入化合物，插层反应的特征是，要有一定的结构开放性，能允许外来原子或离子易于扩散进或逸出晶体。大量层状结构化合物有能力发生插层反应。实验证明，当嵌入的金属有机物为具有低离子化能的良好还原剂时，就可实现电子从客体向主体的转移。这对制备具有较高超导转变温度的材料显示出良好前景。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条