1) potential barrier
掺氟Bi系超导体
2) F-doped
掺氟
1.
The influence of deposition temperature and width of the heating zone on the F-doped processes are discussed.
光纤包层中掺氟能显著降低折射率,这就为制备纯石英芯光纤提供了可能。
3) fluorine-doped materi al
掺氟材料
4) F-doped
掺氟效应
5) SiOF thin film
掺氟SiO2薄膜
6) F-doped SiO_2
掺氟氧化硅
参考词条
补充资料：铊系氧化物超导体
分子式：
CAS号：
性质：一种含铊的铜基氧化物超导陶瓷。主要有铊钡铜氧系和铊钡钙铜氧两种。其超导转变的零电阻温度Tc分别为81K和125K。属四方晶结构，存在两种结构类型的超导相。一方铊-氧单层，为简单晶结构。一方铊-氧双层，为体心立方晶格。采用粉末固相烧结法制备。
CAS号：
性质：一种含铊的铜基氧化物超导陶瓷。主要有铊钡铜氧系和铊钡钙铜氧两种。其超导转变的零电阻温度Tc分别为81K和125K。属四方晶结构，存在两种结构类型的超导相。一方铊-氧单层，为简单晶结构。一方铊-氧双层，为体心立方晶格。采用粉末固相烧结法制备。
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