1) high-g
高g值
1.
Situation and trend of high-g micromachined accelerometer;
高g值微机械加速度传感器的现状与发展
2) high g
高g值
1.
A high g piezoresistive accelerometer with four-terminal fixed beam-island structure was designed for the purpose of testing in special demand.
针对特殊场合的测试需求,设计了四端全固支的高g值梁岛结构加速度传感器,结构中采用在质量块背部KOH腐蚀的方法,减轻质量块质量,且减小质量块质心与梁中心面的相对距离。
2.
MEMS high g piezoresistive accelerometer is one of the key of that MEMS technology is applied on inertial measurement and control in the course of the fuze penetration.
MEMS高g值加速度传感器是MEMS技术应用于引信侵彻过程惯性测试与控制的关键之一。
3) high G impact
高G值冲击
1.
Taking a special Lithium-ion battery for a certain type PDA as example,the damage by high G impact for Lithium-ion battery is analyzed,and the Lithium-ion battery high G impact safety test technology is put forward.
结合某型号便携设备用锂离子电池分析了高G值冲击过程对电池的损害,研究了锂离子电池高G值冲击的安全测试技术。
4) ultra-high g penetration
高g值过载
5) high G-level cadaver test
高G值尸体试验
6) G value
G值
1.
The particle-aggregation experience growing and breakup phases during the aggregation process and the main inflection factors in the growing process are coagulant,G value and pH value of the solution.
根据实验数据探讨了剪切力作用下胶体颗粒凝聚过程的机理:颗粒聚集体在絮凝过程中经历生长和破碎两个阶段,在生长阶段主要影响因素为絮凝剂、G值和溶液的pH值。
2.
Then we use G values as the main controlling parameters of joint PP_ and PSV_wave acquisition design in VTI medi.
以G值作为控制VTI介质中P_P波、P_SV波联合采集观测系统设计的主要参数,通过分析G值确定检波器位置的最佳接收时窗,得出优化VTI介质中多分量转换波地震数据采集的接收时窗的方法。
3.
We use G value as the main parameter of controlling joint P-P?P-SV acquisition geometry design, and derive the method of optimizing joint P-P?P-SV acquisition geometry design after analyzing the relation between G value and incident angles.
以G值作为控制P P、P SV波联合采集观测系统设计的主要参数,通过分析G值与入射角的关系,得出优化P P、P SV波联合采集观测系统设计的方案。
补充资料：高阈值逻辑电路
由二极管-晶体管逻辑电路 (DTL)和改进型二极管-晶体管逻辑电路(M－DTL)改进而来的一种高阈值双极型中、低速数字集成电路，简称HTL电路。HTL电路具有很好的抗干扰性能。图中表示从DTL电路到HTL电路的改进过程。
HTL电路的主要特点，是用齐纳二极管(D2)代替DTL、M-DTL电路中原来的电平位移二极管(Df)并将D2反接。齐纳二极管的制造工艺与常规双极型集成电路制备工艺相同，所以齐纳二极管可在双极型集成电路制造过程中形成。通常，利用晶体管基极与集电极短路的eb结，即发射区和基区间的 P+N+结制成。齐纳二极管的反向击穿电压一般约为6.7伏，要使其通导，必须有约6.7伏的电压降。因此,它使HTL电路的阈值电压提高到约为6.7+0.7=7.4伏,比一般DTL电路的阈值电压约高6伏。正是利用齐纳二极管的反向特性，使电路的输入低电平的噪声容限，从原来的1伏提高到约6伏;而输入高电平的级声容限,取决于电源电压的高低。如采用12伏电源,只能获得约3伏的输入高电平的噪声容限。因此，输入高、低电平的抗噪声能力是不对称的。为了获得对称的输入高、低电平的抗噪声能力，一般采用15伏电源，从而使电路的输入高、低电平的噪声容限均达到6伏左右,可显著提高电路的抗干扰能力。HTL电路适用于对速度要求不高,而对抗干扰能力要求很高的电子系统，如数控机床、工业控制机、循回检测装置、数字化仪表等电子设备。它能使这些设备在恶劣的干扰环境中正常工作而又不必采取过多的附加措施。
为了限制 HTL电路的功耗随电源电压的提高而增大，常采用高阻值电阻进行限流。高阻值的电阻在版图设计中占用较大的面积，从而限制了集成度的进一步提高。因此，HTL电路只适用于中、小规模集成电路。
HTL电路的主要特点，是用齐纳二极管(D2)代替DTL、M-DTL电路中原来的电平位移二极管(Df)并将D2反接。齐纳二极管的制造工艺与常规双极型集成电路制备工艺相同，所以齐纳二极管可在双极型集成电路制造过程中形成。通常，利用晶体管基极与集电极短路的eb结，即发射区和基区间的 P+N+结制成。齐纳二极管的反向击穿电压一般约为6.7伏，要使其通导，必须有约6.7伏的电压降。因此,它使HTL电路的阈值电压提高到约为6.7+0.7=7.4伏,比一般DTL电路的阈值电压约高6伏。正是利用齐纳二极管的反向特性，使电路的输入低电平的噪声容限，从原来的1伏提高到约6伏;而输入高电平的级声容限,取决于电源电压的高低。如采用12伏电源,只能获得约3伏的输入高电平的噪声容限。因此，输入高、低电平的抗噪声能力是不对称的。为了获得对称的输入高、低电平的抗噪声能力，一般采用15伏电源，从而使电路的输入高、低电平的噪声容限均达到6伏左右,可显著提高电路的抗干扰能力。HTL电路适用于对速度要求不高,而对抗干扰能力要求很高的电子系统，如数控机床、工业控制机、循回检测装置、数字化仪表等电子设备。它能使这些设备在恶劣的干扰环境中正常工作而又不必采取过多的附加措施。
为了限制 HTL电路的功耗随电源电压的提高而增大，常采用高阻值电阻进行限流。高阻值的电阻在版图设计中占用较大的面积，从而限制了集成度的进一步提高。因此，HTL电路只适用于中、小规模集成电路。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条