1) organogermanium sesquisulfide
锗倍半硫化物
1.
A new organogermanium sesquisulfide is synthesized and identified by IR spectrum and elemental analysis method.
合成了γ 硫脲基丙基锗倍半硫化物 ,进行了99Tcm的标记 ,在配体量为 0 5mg,SnCl2 量为 0 。
2) germanium sesquioxide
锗倍半氧化物
1.
AIM: To search for more effective and less toxic new type radiosensitizer, three types of organic germanium sesquioxide were synthesized.
目的：为寻找新型低毒有效放射增敏剂，合成了３ 种类型有机锗倍半氧化物。
5) organogermanium sesquioxide
有机锗倍半氧化物
1.
The Synthesis and Cytotoxic Activity of Novel Organogermanium Sesquioxides with Quinoline Moiety;
含喹啉基团的有机锗倍半氧化物的合成及对体外培养癌细胞的作用(英文)
2.
It is known that organogermanium sesquioxide compounds have many biological activities,so they can be widely used in the cosmetics,clinical preparations,products of nutrition and health protection etc.
有机锗倍半氧化物具有多种生物活性 ,可广泛用于化妆品、临床疗效制品及营养保健品等。
3.
The two kinds of organgermanium were bis-β-carboxyethyl organogermanium sesquioxide (R-Ge-1) and bis-β-carbamylethyl organogermanium sesquioxide (R-Ge-2).
本文研究了具有抗肿瘤活性的两种有机锗倍半氧化物:双-β-羧乙基锗倍半氧化物,即Ge-132(R-Ge-1)和双-β-氨甲酰乙基锗倍半氧化物(R-Ge-2);以及一种具有抗肿瘤抗病毒活性的有机磷化合物:腺苷-5’-硫代磷酸三乙胺(5’-AMPS)的合成工艺。
6) Organogermanium sesquiselenides
有机锗倍半硒化物
补充资料：硫化锗晶体
分子式：GeS
CAS号：
性质：周期表第Ⅳ、Ⅵ族元素化合物半导体。正交晶结构，离子性晶体。晶格常数0.430nm。密度4.24g/cm3。熔点674℃。为直接带隙半导体。室温禁带宽度1.8eV。采用熔化再结晶方法制备。为半导体材料。锗冶金过程重要中间产物。
CAS号：
性质：周期表第Ⅳ、Ⅵ族元素化合物半导体。正交晶结构，离子性晶体。晶格常数0.430nm。密度4.24g/cm3。熔点674℃。为直接带隙半导体。室温禁带宽度1.8eV。采用熔化再结晶方法制备。为半导体材料。锗冶金过程重要中间产物。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条