1) component nitric oxide synthase
组成型一氧化氮合酶
2) iNOS
诱导型一氧化氮合成酶
1.
Expression and significance of iNOS in rat corneal neovascularization;
诱导型一氧化氮合成酶在大鼠角膜新生血管模型的表达及意义
2.
Methods Capillary electrophoresis and reverse transcription-polymerase chain reaction (RT-PCR) were used to measure the mRNA expressions of albumin, TNFα , IL-1α, IL-6R and iNOS respectively and the change of plasma albumin on 1,3,6 and 9 postburn day (PBD) in rats in early enteral feeding group (EF) and in L-arginine enriched e.
方法 应用反转录聚合酶链式反应 (RT -PCR)和毛细管电泳半定量检测白蛋白等的mRNA表达 ,观察富含精氨酸早期肠内营养组 (AEF组 )及单纯早期肠内营养组(EF)大鼠在烧伤后第 1、3、6、9天肝脏白蛋白、肿瘤坏死因子α(TNFα)、白细胞介素 1α(IL - 1α)、白细胞介素 6受体 (IL - 6R)、诱导型一氧化氮合成酶 (iNOS)的mRNA表达及血浆白蛋白的变化。
3.
Objective To investigate the effects of UVA irradiation on expression of inducible nitric oxide synthase(iNOS) mRNA,iNOS protein and the change of morphology of Human primary fibroblasts.
目的通过检测UVA照射后人皮肤成纤维细胞的细胞形态及诱导型一氧化氮合成酶(iNOS)和一氧化氮(NO)表达,初步探讨UVA引起成纤维细胞光损伤的发病机制。
4) inducible nitric oxide synthase
诱导型一氧化氮合成酶
1.
Dynamic change of nitric oxide content and expression of inducible nitric oxide synthase during radiation-induced pulmonary fibrosis in rabbits;
兔放射性肺纤维化形成过程中一氧化氮含量变化及诱导型一氧化氮合成酶的表达
2.
Effects of Silver-nylon with Weak Direct Current on Inducible Nitric Oxide Synthase before and after the Healing of Partial-Thickness Scald Wound on Guinea Pigs;
银尼龙—微直流电治疗对深Ⅱ度烫伤豚鼠创面愈合前后诱导型一氧化氮合成酶变化的影响
3.
Objective To investigate the expression of osteopontin in gastric cancer and it s correlation with inducible nitric oxide synthase.
目的 研究骨桥蛋白在胃癌组织中的表达及其与诱导型一氧化氮合成酶表达的关系。
5) eNOS
内皮型一氧化氮合成酶
1.
Expression and significance of eNOS,VEGF and CD34 in endometriosis;
子宫内膜异位症异位内膜组织中内皮型一氧化氮合成酶、血管内皮生长因子和CD34的表达
2.
Objective To study the level and expression of endogenous endothelin-1(enET-1), endothelial nitric oxide synthase (eNOS)and malondialdehyde (MDA)induced by exogenous endothelin-1(exET-) in the hemorrhagic lung tissue of newborn rats, and to explore their relationship in pulomary hemorrhage (PH).
目的 研究新生鼠出血肺组织中内源性内皮素 1(enET - 1) ,内皮型一氧化氮合成酶 (eNOS)及丙二醛 (MDA)的水平与表达 ,探讨肺出血 (PH)时三者之间的关系。
3.
Detecting the expression of insulin receptor beta(INSR-β),C-peptide receptor(CPR) and endothelial nitric oxide synthase（eNOS）in the renal organism.
肾穿刺取原发性肾病综合征患者肾组织,以肾肿瘤和肾外伤患者手术切除肾脏的正常部分为对照肾组织,应用免疫组织化学方法观察原发性肾病综合征患者肾组织胰岛素受体β（ISNR-β）、C-肽受体（CPR）和内皮型一氧化氮合成酶（eNOS）的表达。
6) Inducible Nitric Oxide Synthase
诱生型一氧化氮合成酶
补充资料：增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路
耗尽型MOS晶体管用作负载管，增强型MOS晶体管用作驱动管组成反相器（图1），并以这种反相器作为基本单元而构成各种集成电路。这种集成电路简称E/D MOS。
特点 E/D MOS电路的速度快，电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下，充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中，作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源（栅与源相连,其电压uGS＝0）状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS～VDS曲线，沿纵轴翻转180o,取出其中uGS＝0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载（图2）。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路，可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5～1/8。此外，由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失，最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此，比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好，为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比，E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
结构与工艺 只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）。其中耗尽管的初始沟道，是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接，在生长多晶硅之前，需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面：引用氮化硅层实现选择性氧化，降低了场氧化层的台阶；②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子；③硅栅自对准：用多晶硅作栅，可多一层布线。结合自对准，可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路，已达到tpd≈4纳秒，功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门／毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路（见互补金属-氧化物-半导体集成电路）比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合，是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
特点 E/D MOS电路的速度快，电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下，充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中，作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源（栅与源相连,其电压uGS＝0）状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS～VDS曲线，沿纵轴翻转180o,取出其中uGS＝0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载（图2）。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路，可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5～1/8。此外，由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失，最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此，比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好，为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比，E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
结构与工艺 只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）。其中耗尽管的初始沟道，是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接，在生长多晶硅之前，需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面：引用氮化硅层实现选择性氧化，降低了场氧化层的台阶；②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子；③硅栅自对准：用多晶硅作栅，可多一层布线。结合自对准，可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路，已达到tpd≈4纳秒，功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门／毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路（见互补金属-氧化物-半导体集成电路）比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合，是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条