1) solvent deposition method
溶剂沉积法
1.
Methods The sustained release nitrendipine microspheres with a solid dispersed structure was prepared in liquid system by combining spherical crystallization technique and solvent deposition method in one step.
方法 采用球晶造粒技术与溶剂沉积法相结合的方法 ,以滑石粉为固体分散体载体 ,EudragitRSPO为阻滞剂 ,在液相中一步制备尼群地平的固体分散体微球 。
2) solvent evaporation-deposition method
溶剂蒸发-沉积法
1.
Study on preparation of nitrendipine solid dispersion using the solvent evaporation-deposition method;
溶剂蒸发-沉积法制备尼群地平固体分散体
3) solvent precipitation
溶剂沉淀法
1.
The crude phosphoric acid made from low-grade phosphorite was successfully purified through the steps of solvent precipitation,defluorination and desulfuration etc.
提出由中低品位磷矿石制得的湿法磷酸 ,采用溶剂沉淀法结合脱硫、脱氟、脱色等工艺的净化途径。
2.
An optimum technological condition for separating the diolefin substance from raw materials by the solvent precipitation from dially alcohol ketone acetate waste residue was determined.
通过分析双烯醇酮醋酸酯废渣的组成 ,提出溶剂沉淀法回收分离废渣中的产品和原料的工艺路线 ,确定了优惠工艺条件。
4) sol-electrophoresis deposition method
溶胶-电泳沉积法
5) CSD
化学溶液沉积法
1.
75Ti3O12(BLT) thin films have been prepared by chemical solution deposition(CSD).
采用化学溶液沉积法在p-Si(100)衬底上制备了LaNiO3(LNO)下电极和Bi3。
2.
The Bi_2Ti_2O_7 thin film with strong (111) orientation was successfully prepared by chemical solution deposition (CSD) technique on n－ Si (100) using bismuth nitrate and titanium butoxide as starting materials.
采用化学溶液沉积法，以硝酸铋和钛酸四丁酯为原料成功地制备了 Bi_2Ti_2O_7介质膜。
3.
75)Ti_3O_(12) ((M=Nd,Al,In)) thin films have been prepared on LaNiO3 (LNO)/Si and quartz by chemical solution deposition (CSD), respectively.
采用化学溶液沉积法分别在LaNiO3(LNO)/Si和石英衬底上制备了Bi_(3。
6) Chemical solution deposition
化学溶液沉积法
1.
Preparation of YBa_2Cu_3O_7 thin films by chemical solution deposition;
化学溶液沉积法制备YBa_2Cu_3O_7超导薄膜
2.
Study on Preparation of LiMn_2O_4 Film Electrode by Chemical Solution Deposition Method;
化学溶液沉积法制备LiMn_2O_4薄膜电极的研究
3.
LaNiO3(LNO) thin films were prepared on(100)Si,SiO2/Si,(100)Al2O3,(100)MgO,(100)SrTiO3(STO),(100)ZrO2 substrates by chemical solution deposition.
采用化学溶液沉积法在(100)Si,SiO2/Si,(100)Al2O3,(100)MgO,(100)SrTiO3(STO),(100)ZrO2等衬底上制备了LaNiO3(LNO)薄膜,研究了热处理温度对薄膜结构和电性能的影响。
补充资料：电解沉积法生产镉
电解沉积法生产镉
production of cadmium by electrowinning
d一anJ一e ehenjifo shengehon ge电解沉积法生产镐(produetion of cadmiumby eleetrowinning)从含福原料制得的纯净福电解液，经电解沉积生产金属镐的过程，为福生产方法之一。主要用于处理铜福渣，工艺流程如图。主要包括铜福渣硫酸浸出、锌粉置换沉淀海绵福、海绵福溶解造液、福电解沉积和福熔铸等过程。 铜锡渣硫酸浸出铜锡渣为湿法炼锌厂的副产物，含福2.5%一12%;此外，还含锌35%一60%、铜4%一17%、铁0.05%~2.0%和少量砷、锑、5102、钻、镍、佗、锢等杂质。在浸出前将其堆放在空气中氧化，可加速浸出过程，但同时也增加了铜的溶解损失，只宜用于处理含铜较低的铜锡渣。 铜锡渣的浸出使用硫酸或福电解及锌电解的废液，在机械或空气一机械搅拌槽(见浸出糟)中进行。将硫酸缓慢加入盛有铜福渣的浸出槽中，在保持含游离酸10一159/L的最高浸出酸度和353一363K温度下，浸出6一sh。当酸度降至5一49/L时加入软锰矿，在_二敏化锰铜锅渣硫酸公 福锭 电积法从铜锡渣生产锡工艺流程pHd.8一尔。时加氧化锌粉中和至pHS.2一5.4以除去浸出液中的铜，停止搅拌。浸出的主要反应为: Cd十ZH+一一(:dZ干一衬HZ Cd()斗一ZH十一一二二CdZ书十HZO Zn十ZH长一~之ZnZ千十H: Cu(〕升一ZH辛=一州二uZ十十H:O Cu洲十Cd一一气!dZ未一粉Cu除锌锅外，镍、钻、锢、铭等杂质也进入溶液。 锌粉置换沉派海绵锅净化除杂质后过滤所得的滤液，又重新加硫酸酸化至pH3一4，然后缓慢加入锌粉置换沉淀福，至溶液含锡小于10009/L时进行压滤所得海绵福含福60%~80%。 海绵锅溶解造液将海绵福和浓硫酸加入机械搅拌槽中进行溶解造液，在维持358一363K温度下溶解2一3h待溶液酸度降至。，5一19/I，，便加KMnO。氧化除铁。接着用石灰乳中和溶液至pHS.4使部分杂质水解而除去。然后再加入海绵镐使溶液pH降至3·8一4.。，置换除铜后便可送去过滤。所得滤液即为纯净的铜电解液，其主要成分(质量浓度尸/g·l‘)为: (二d Zn Fc(二。;八s斗S十， 200一250 20~30长0.05<口.‘)0‘)5<().(jol 锅电解沉积与锌电解沉积过程相似以铝板作阴极，用纯铅或铅银合金(含银
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参考词条