光密度测量法,Densitometry,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) Densitometry

光密度测量法

2) optical density

光密度

Optical density of primary dental enamel and its correlation with caries status;

乳牙牙釉质光密度与患龋状况的关系

Study and application of optical density curve model for recordabl e disc;

可写光盘光密度曲线模型的研究及应用

The result indicated that two synthesized com-pounds have obvious absorption at near infrared wave band,optical density was near 3,and visible light transmittance of them are all higher than 57%.

结果表明,所合成的化合物在近红外区均有明显的吸收,光密度接近3,并且在可见光区透过率大于57%,可作为激光防护的近红外激光吸收剂使用。

3) optical density

光密度值

4) laser cryptogram

激光密码

5) Spectrophotometric method

光密度法

Methods: The PAE was determined by the spectrophotometric method using AVANTAGE Microbiology System.

方法:应用AVANTAGE自动微生物分析仪的光密度法测定培氟沙星的抗生素后效应。

6) optical density

光密度（OD）

参考词条

高光密度光密度差光密码光密媒质光密性曝光密度反射光密度油墨光密度相对光密度声学光密度积分光密度光密度计量平均光密度嵌入光密度住宅的易构中国芍药品种

补充资料：光致发光法测量

光致发光法测量
photoluminescence method

光致发光法测t曲oto一uxnineseence method受光照激发的物质处于较高的能态，在回复到低能态时，多余的能量通过光和热的形式释放出来，如果以光的形式发射出来，就称为光致发光。固体的光致发光研究可追述到20世纪50年代，那时研究的重点是绝缘体中离子的内辐射跃迁。到60年代，随着大功率连续工作气体激光器的问世，激光光谱技术的发展，半导体光致发光研究受到了广泛重视。原理半导体受到光的本征激发时(光子能量h。大于禁带宽度凡)，电子从价带跃迁到导带，产生非平衡载流子电子一空穴对，非平衡的电子可直接越过禁带与价带的空穴复合，也可在被禁带中定域态俘获后再与空穴复合。复合可以是辐射复合即发光.或者是非辐射的表面复合，俄歇复合和发射多声子的复合等。半导体中主要的辐射复合过程包括:①带边复合。导带电子与价带空穴复合(e，h)，自由激子复合(F，X)以及束缚在中性、电离状态的浅施主和受主上的束缚激子复合(D气X，D+，X，A。，X，A一，X)等。只在比较纯净的半导体材料里才能观察到(e，h)和(F，X)复合发光的分立谱，而束缚激子复合发光强度则随杂质浓度提高而增加。当杂质浓度过高时，分立的带边谱相互重叠形成带l(图ib)。②电子从自由态到束缚态的复合跃迁(FB)。即导带电子经过浅施主与价带空穴或者是价带空穴经浅┌─┬──┬────┬────┬─┬──────┬─────┬──┐│〕│1 │ │ │ │ │ │ │├─┼──┼────┼────┼─┼──────┼─────┼──┤│ │】 │ 习 │氢一;， │及│ { │甘曰 │. ││ │} │匕P沙1; │ FB │ │FB │. │FBD ││ │} │‘F，X) │ │ │ . │介口~ │ ││ │} │ │ │ ├──────┼─────┼──┤│ │1 │ │ │ │压A │ . │J ││ │} │ │ │ │ │FBD │. ││ │ │ │ │ │ │ │r、 │├─┼──┼────┼────┼─┼──────┼─────┴──┤│门│民}1│l │l‘ │ │ │ 下 │└─┴──┴────┴────┴─┴──────┴────────┘FBDAPFBD 复合(发射)过程 ab图l光致发光示意图与PJ_图谱激发过程a半导体光致发光示意图b典型的PL图谙受主与导带电子的复合跃迁。

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1) Densitometry 光密度测量法 2) optical density 光密度 1. Optical density of primary dental enamel and its correlation with caries status; 乳牙牙釉质光密度与患龋状况的关系 2. Study and application of optical density curve model for recordabl e disc; 可写光盘光密度曲线模型的研究及应用 3. The result indicated that two synthesized com-pounds have obvious absorption at near infrared wave band,optical density was near 3,and visible light transmittance of them are all higher than 57%. 结果表明,所合成的化合物在近红外区均有明显的吸收,光密度接近3,并且在可见光区透过率大于57%,可作为激光防护的近红外激光吸收剂使用。 3) optical density 光密度值 4) laser cryptogram 激光密码 5) Spectrophotometric method 光密度法 1. Methods: The PAE was determined by the spectrophotometric method using AVANTAGE Microbiology System. 方法:应用AVANTAGE自动微生物分析仪的光密度法测定培氟沙星的抗生素后效应。 6) optical density 光密度（OD）参考词条高光密度光密度差光密码光密媒质光密性曝光密度反射光密度油墨光密度相对光密度声学光密度积分光密度光密度计量平均光密度嵌入光密度住宅的易构中国芍药品种补充资料：光致发光法测量光致发光法测量 photoluminescence method 光致发光法测t曲oto一uxnineseence method受光照激发的物质处于较高的能态，在回复到低能态时，多余的能量通过光和热的形式释放出来，如果以光的形式发射出来，就称为光致发光。固体的光致发光研究可追述到20世纪50年代，那时研究的重点是绝缘体中离子的内辐射跃迁。到60年代，随着大功率连续工作气体激光器的问世，激光光谱技术的发展，半导体光致发光研究受到了广泛重视。原理半导体受到光的本征激发时(光子能量h。大于禁带宽度凡)，电子从价带跃迁到导带，产生非平衡载流子电子一空穴对，非平衡的电子可直接越过禁带与价带的空穴复合，也可在被禁带中定域态俘获后再与空穴复合。复合可以是辐射复合即发光.或者是非辐射的表面复合，俄歇复合和发射多声子的复合等。半导体中主要的辐射复合过程包括:①带边复合。导带电子与价带空穴复合(e，h)，自由激子复合(F，X)以及束缚在中性、电离状态的浅施主和受主上的束缚激子复合(D气X，D+，X，A。，X，A一，X)等。只在比较纯净的半导体材料里才能观察到(e，h)和(F，X)复合发光的分立谱，而束缚激子复合发光强度则随杂质浓度提高而增加。当杂质浓度过高时，分立的带边谱相互重叠形成带l(图ib)。②电子从自由态到束缚态的复合跃迁(FB)。即导带电子经过浅施主与价带空穴或者是价带空穴经浅┌─┬──┬────┬────┬─┬──────┬─────┬──┐│〕│1 │ │ │ │ │ │ │├─┼──┼────┼────┼─┼──────┼─────┼──┤│ │】 │ 习 │氢一;， │及│ { │甘曰 │. ││ │} │匕P沙1; │ FB │ │FB │. │FBD ││ │} │‘F，X) │ │ │ . │介口~ │ ││ │} │ │ │ ├──────┼─────┼──┤│ │1 │ │ │ │压A │ . │J ││ │} │ │ │ │ │FBD │. ││ │ │ │ │ │ │ │r、 │├─┼──┼────┼────┼─┼──────┼─────┴──┤│门│民}1│l │l‘ │ │ │ 下 │└─┴──┴────┴────┴─┴──────┴────────┘FBDAPFBD 复合(发射)过程 ab图l光致发光示意图与PJ_图谱激发过程a半导体光致发光示意图b典型的PL图谙受主与导带电子的复合跃迁。说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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