1) endothelial nitric oxide synthase
内皮源型一氧化氮合酶
1.
The expression of endothelial nitric oxide synthase (eNOS) mRNA was examined by RT-PCR.
结果:从成人外周血分离获得的PBMNCs经体外诱导培养,可以形成内皮祖细胞的早期集落形成单位,表达内皮祖细胞的相对特异性抗原,包括AC133、CD34和VEGFR-2,并显示出具有能内吞乙酰化低密度脂蛋白(acetylate low-densitylipoprotein,acLDL)和结合荆豆凝集素(ulex europaeus agglutinin-1 lectin,UEA-1lectin)的功能,同时可表达内皮源型一氧化氮合酶基因(endothelial nitric oxidesynthase,eNOS),所诱导培养的细胞具有内皮祖细胞的特征,鉴定为内皮祖细胞。
2) Endothelium-derived nitric oxide synthase
内皮源性一氧化氮合酶
1.
The relation between endothelium-derived nitric oxide synthase and hypoxic pulmonary vascular remodeling in rats;
缺氧状态下内皮源性一氧化氮合酶与大鼠肺血管结构重建的关系
3) Endothelial nitric oxide synthase
内皮型一氧化氮合酶
1.
Relationship between G894T polymorphism of endothelial nitric oxide synthase gene and acute coronary syndrome;
内皮型一氧化氮合酶基因G894T多态性和急性冠脉综合征的关系
2.
Endothelial nitric oxide synthase gene polymorphism and coronary heart disease;
内皮型一氧化氮合酶基因多态性与冠心病的关系
3.
Effects of thiazide diuretics on the gene expression of endothelial nitric oxide synthase and endothelin-1 in the spontaneous hypertensive rats;
噻嗪类利尿剂对自发性高血压大鼠内皮型一氧化氮合酶和内皮素-1表达影响的研究
4) endothelium nitric oxide synthase
内皮型一氧化氮合酶
1.
AIM: To investigate the effects of QiDanTongMai Tablets (QDTMT) on the content of nitric oxide in the serum and the gene expression of endothelium nitric oxide synthase in artery vessels of experimental atherosclerotic rats.
目的 :观察芪丹通脉片 (QDTMT)对实验性动脉粥样硬化 (AS)大鼠血清一氧化氮 (NO)含量和动脉壁匀浆中内皮型一氧化氮合酶 (eNOS)基因表达的影响 ,探讨QDTMT的抗AS机制 。
2.
To explore the mechamism,expression of endothelium nitric oxide synthase(eNOS) and nitrotyrosine in aorta were observed by immunohistochemical method.
测血压、血脂、血糖、血清过氧化氢和硝酸盐/亚硝酸盐含量;采用离体灌流系统,观察大鼠主动脉环对累积浓度去氧肾上腺素的收缩反应和对乙酰胆碱及硝普钠诱发的舒张反应;免疫组织化学法观察主动脉内皮型一氧化氮合酶(eNOS)表达和硝基酪氨酸(NT)含量。
5) Human endothelial nitric oxide synthase
人内皮型一氧化氮合酶
6) eNOS
内皮型一氧化氮合酶
1.
Effect of melatonin on the balance of ET-1 and eNOS in the renal cortex of insulin-resistant rats;
褪黑素对胰岛素抵抗大鼠肾皮质内皮素、内皮型一氧化氮合酶平衡的影响(英文)
2.
Effects of Delivery of Human eNOS Gene on Blood Pressure and Renal Function in High Salt fed Rats;
导入人内皮型一氧化氮合酶基因对高盐饮食大鼠的血压及肾脏功能的影响
3.
Objective To investigate the effects of different concertrations of rhBMP-2 on mandibular distraction osteogenesis and the expression of eNOS in the different consolidation period of distraction osteogenesis.
目的探讨不同剂量基因重组人骨形成蛋白(rhBM P-2)对兔下颌骨牵引区新骨生成及内皮型一氧化氮合酶(eNOS)表达的影响。
补充资料：增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路
耗尽型MOS晶体管用作负载管，增强型MOS晶体管用作驱动管组成反相器（图1），并以这种反相器作为基本单元而构成各种集成电路。这种集成电路简称E/D MOS。
特点 E/D MOS电路的速度快，电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下，充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中，作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源（栅与源相连,其电压uGS＝0）状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS～VDS曲线，沿纵轴翻转180o,取出其中uGS＝0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载（图2）。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路，可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5～1/8。此外，由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失，最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此，比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好，为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比，E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
结构与工艺 只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）。其中耗尽管的初始沟道，是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接，在生长多晶硅之前，需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面：引用氮化硅层实现选择性氧化，降低了场氧化层的台阶；②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子；③硅栅自对准：用多晶硅作栅，可多一层布线。结合自对准，可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路，已达到tpd≈4纳秒，功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门／毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路（见互补金属-氧化物-半导体集成电路）比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合，是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
特点 E/D MOS电路的速度快，电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下，充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中，作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源（栅与源相连,其电压uGS＝0）状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS～VDS曲线，沿纵轴翻转180o,取出其中uGS＝0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载（图2）。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路，可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5～1/8。此外，由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失，最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此，比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好，为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比，E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
结构与工艺 只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）。其中耗尽管的初始沟道，是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接，在生长多晶硅之前，需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面：引用氮化硅层实现选择性氧化，降低了场氧化层的台阶；②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子；③硅栅自对准：用多晶硅作栅，可多一层布线。结合自对准，可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路，已达到tpd≈4纳秒，功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门／毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路（见互补金属-氧化物-半导体集成电路）比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合，是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条