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1)  Silicon microchannels
硅微通道
1.
Silicon microchannels method is novel and effective one for assessing red blood cell deformability.
本文对硅微通道法测量红细胞变形性的理论进行了针对性的分析和推导 ,提出了在硅微通道法中以细胞通过阻力 β和细胞堵塞比率ε分析红细胞变形性的双参数方法 ,并结合我们利用该技术研制的红细胞流变性测量芯片系统进行实验研究 ,验证了理论方法的适用
2)  silicon microchannel
硅微通道
1.
Research on RCD of burned rats based on model of silicon microchannels-capillary;
基于硅微通道——毛细血管模型研究烧伤鼠红细胞变形特性
2.
Experimental study was conducted to investigate the condensation of steam in triangular silicon microchannels.
实验研究了三角形硅微通道中的流动冷凝。
3)  silicon microchannel
硅基微通道
1.
Most of previous researches in silicon microchannels took water as working fluid instead of fluid.
国内外关于微流体换热特性的研究,绝大部分都采用纯工质作为流动工质,而关于混合工质在硅基微通道内的流动与换热特性的研究鲜有报道。
4)  Silicon microchannel cooler
硅微通道冷却器
1.
A V-shaped Silicon microchannel cooler has an advantage of packaging compact laser diode arrays due to its high cooling power and specific structure.
报道了V形槽硅微通道冷却器的结构和主要制作工艺,研制了冷却器样品。
2.
In addition to diamond piece,a silicon microchannel cooler soldered onto DBR side of chip ulteriorly decreases the temperature difference between quantum wells and optimizes character of the chip.
计算表明,在没有金刚石散热片的情况下,从窗口以下首个量子阱到末个量子阱的温差达到150 K;在有金刚石散热片的情况下,器件中各个量子阱的温差很小,其共振波长差只有几纳米;在芯片的分布式布拉格反射镜(DBR)一侧焊接有硅微通道冷却器的情况下,各量子阱间的温差进一步减小,器件性能得到最大改善。
5)  self lift-off silicon microchannels
自分离硅微通道
1.
The oxidation of the self lift-off silicon microchannels is studied.
本文研究了自分离硅微通道(self lift-off silicon microchannels)的氧化问题。
6)  microchannels
微通道
1.
Progress of studies on gas-liquid two-phase flow in microchannels;
微通道内气液两相流行为研究进展
2.
Study on feasibility of removing inhalable particle (PM_(2.5)) by using thermophoresis in microchannels;
应用微通道热泳脱除可吸入颗粒物的可行性研究
3.
Numerical study on friction factors of water flow in trapezoidal microchannels;
水在梯形截面微通道内流动阻力特性的数值研究
补充资料:微通道板
      20世纪70年代在单通道电子倍增器基础上发展起来一种多通道电子倍增器。微通道板具有结构简单、增益高、时间响应快和空间成像等特点,因而得到广泛的应用。它主要应用于各种类型的像增强器、夜视仪、量子位置探测器、Χ射线放大器、场离子显微镜、超快速宽频带示波器、光电倍增器等。
  
  微通道板是由许许多多的特殊空心玻璃纤维压制成的一块很薄的板(图1), 空心纤维的内径为20~40μm,板的厚度大约2mm,板的外径目前可做到5~6cm左右。每根空心纤维(即每个微通道)的内表面层是次级电子发射系数较大的材料(通常发射系数可达3~4),在真空的条件下,微通道的两端面用真空溅射的办法镀一层导电物质作为电极。
  
  当微通道板两端加上1kV左右的直流电压,在每个微通道内部都形成与通道中心轴平行的电场,图2表示这样一个微通道内的电场和电子倍增原理。具有初速度的电子从通道一端射入,这些电子在电场和垂直电场方向的速度分量的作用下,以抛物线轨道飞行并得到加速,而后碰在通道的壁上打出几个次级电子。这些次级电子在电场作用下又得到加速,再次撞击内壁打出次级电子。如此重复多次,便实现了电子的倍增。板上所有微通道的电子倍增的总和就构成了整个微通道板的电子增益。可见,微通道板必须工作在高真空的条件下。而且,电子在倍增过程中走的路程很短,仅几毫米,飞行时间只有1纳秒(10-9秒)左右,飞行时间涨落则更小,从而有可能成为皮秒(10-6秒)级的光电转换,电子倍增器件中的重要组成部分。
  
  电子倍增系数的大小和微通道板的厚度(即微通道的长度),微通道内径,二次级电子发射系数以及所用的电压有关,一般可达103~104,如果采用较高的电压,把两块板串联起来,电子倍增系数达到107也是不困难的。
  
  微通道板的电流和电荷饱和特性是指在一定电压下可输出的最大电流或电荷,图3绘出了一个典型的电流特性曲线,图中曲线Ⅰ是直流工作条件下的饱和特性,输出电流明显地偏离线性;曲线Ⅱ是脉冲工作条件下的饱和特性,较窄的电流脉冲输入时,如0.2μs宽的脉冲,输出电流密度可达10mA/cm2
  
  微通道板的主要噪声来源是:场致反射、直流反馈噪声、交流闪烁本底噪声等。另外,由于板中各个微通道的增益不同还带来了空间图像噪声。
  

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参考词条