1) photodamage
光敏损伤
1.
In addition, the result of CT-DNA photodamage experiments suggests that the photodamage ability of p-HPcZn is higher than that of hematoporphyrin in the presence or absence of oxygen.
研究结果表明,p-HPcZn能以嵌插的形式与CT DNA发生作用;无论是在有氧或是在无氧的条件下,p-HPcZn对CT DNA的光敏损伤能力均高于血卟啉。
3) Laser-induced damage
激光损伤
1.
Its electrical properties have been well characterized, but there is little report about the laser-induced damage properties of SCS.
本文主要对单晶硅的抗激光损伤特性进行研究 ,研究了单晶硅材料在 10 6 4nmNd :YAG激光自由脉冲输出模式和单脉冲输出模式作用下的损伤特性 ,通过对两种激光作用下单晶硅损伤形貌的分析 ,在热效应与热力耦合模型的基础上 ,对单晶硅的激光损伤机制进行了探索。
2.
Defects in thin film are one of the most important factors influencing laser-induced damage in the thin film components, and always a major concern.
薄膜缺陷是影响薄膜元件抗激光损伤的重要因素之一,长期以来一直是人们关注和研究的问题。
3.
When the elements are used under high power condition, the laser-induced damage threshold will is reduced.
在强激光系统中光学元件表面的微结构会引起局域场强增强,进而会影响元件抗激光损伤能力。
4) Laser induced damage
激光损伤
1.
Influence of preparation process on laser induced damage threshold of HfO_2 films;
制备工艺对HfO_2薄膜抗激光损伤能力的影响
2.
Laser induced damage threshold(LIDT) was measured and the damage morphologies were plotted by optical profiler.
采用电子束蒸发技术制备了1 064 nm减反膜,利用超声清洗及激光预处理的方法分别对样品进行处理,并对处理前后的样品分别进行激光损伤阈值测试及破斑深度测量。
3.
The real-time results from laser induced damage to samples using photothermal deflection technique support this model.
文中对样品激光损伤的光热偏转实时观察结果支持了这一模
5) laser damage
激光损伤
1.
Recognition of film laser damage based on wavelet transform;
基于小波变换的薄膜激光损伤识别
2.
Laser damage threshold measurement of the optical elements;
光学元件的激光损伤阈值测量
3.
ZrO_2 is an important material used in high laser damage coatings.
ZrO2是用于高抗激光损伤薄膜的重要材料,其结构及性能与沉积条件有很大关系。
6) photodamage
光损伤
1.
The photodamage threshold of Mg∶Er∶LiNbO_(3) waveguide substrate was tested by m-line method.
采用m线法研究Mg∶Er∶LiNbO3晶体波导基片光损伤阈值。
2.
The values of photodamage resistance ability of In-doped series LiNbO3 crystals were obtained by the facula distortion method.
利用光斑畸变法得到掺In系列LiNbO3晶体的抗光损伤能力,发现在In3+掺入量高于阈值3%时的抗光损伤能力增强,比掺入量低于阈值的晶体高1～3个数量级。
3.
The threshold concentration of～3mol% of In for In:Er:LiNbO_3 was confirmed through the measurements of the absorption spectra and the photodamage resistance ability of In(3mol%):Er:LiNbO_3 is over three orders of magnitude higher than that of Er:LiNbO_3.
通过测试晶体的吸收光谱和抗光损伤能力 ,确定In :Er :LiNbO3 晶体中In的掺杂阈值浓度为～ 3mol% ,In(3mol% ) :Er:LiNbO3 晶体的抗光损伤能力比Er:LiNbO3 提高 3个数量级以上。
补充资料：半导体光敏元件
基于半导体光电效应的光电转换传感器，又称光电敏感器。采用光、电技术能实现无接触、远距离、快速和精确测量，因此半导体光敏元件还常用来间接测量能转换成光量的其他物理或化学量。半导体光敏元件按光电效应的不同而分为光导型和光生伏打型（见光电式传感器）。光导型即光敏电阻，是一种半导体均质结构。光生伏打型包括光电二极管、光电三极管、光电池、光电场效应管和光控可控硅等，它们属于半导体结构型器件。半导体光敏元件的主要参数和特性有灵敏度、探测率、光照率、光照特性、伏安特性、光谱特性、时间和频率响应特性以及温度特性等，它们主要由材料、结构和工艺决定。半导体光敏元件广泛应用于精密测量、光通信、计算技术、摄像、夜视、遥感、制导、机器人、质量检查、安全报警以及其他测量和控制装置中。
光敏电阻 又称光导管。它是利用光照时半导体满带的电子飞越禁带而改变导电率的原理制成的。其电阻值随光照强度变化可达107倍。经不同工艺掺杂的硫化镉光敏电阻的光谱响应峰值在520至620纳米间。通过工艺控制和加滤光片校正能得到近似人的视感的响应曲线。因此它被广泛用于摄像技术中。用硫化镉、硒化镉混合制成的光敏电阻，通过调整比例和杂质能获得520～720纳米的光谱响应，并能提高灵敏度。硫化铝、锑化铟、锗（掺金）等材料的光敏电阻适于红外探测，可用于遥感技术。
光敏二极管 它是可见光和红外光的重要探测器，又称光电二极管。其工作原理是，当光照下光子能量超过禁带能量时,在PN结及其附近激发产生电子空穴对,它们被结电场分离，分别向N区和P区移动，从而产生光生伏打电压，利用这种效应就可以测量光照强度。光敏二极管的响应时间远比光敏电阻快,一般都小于1微秒。浅PN结硅二极管和砷化镓二极管的响应曲线近似人的视感响应曲线，可用于摄像技术。
光敏三极管 又称光电三极管。它把集基结的光生伏打效应和三极管的电流放大特性结合起来，可以获得优于光敏二极管的灵敏度，但暗电流增大，温度特性和线性度较差。为了改善这些不足，常在一片硅片上分别制成光敏二极管和三极管或复合管。
光敏电阻 又称光导管。它是利用光照时半导体满带的电子飞越禁带而改变导电率的原理制成的。其电阻值随光照强度变化可达107倍。经不同工艺掺杂的硫化镉光敏电阻的光谱响应峰值在520至620纳米间。通过工艺控制和加滤光片校正能得到近似人的视感的响应曲线。因此它被广泛用于摄像技术中。用硫化镉、硒化镉混合制成的光敏电阻，通过调整比例和杂质能获得520～720纳米的光谱响应，并能提高灵敏度。硫化铝、锑化铟、锗（掺金）等材料的光敏电阻适于红外探测，可用于遥感技术。
光敏二极管 它是可见光和红外光的重要探测器，又称光电二极管。其工作原理是，当光照下光子能量超过禁带能量时,在PN结及其附近激发产生电子空穴对,它们被结电场分离，分别向N区和P区移动，从而产生光生伏打电压，利用这种效应就可以测量光照强度。光敏二极管的响应时间远比光敏电阻快,一般都小于1微秒。浅PN结硅二极管和砷化镓二极管的响应曲线近似人的视感响应曲线，可用于摄像技术。
光敏三极管 又称光电三极管。它把集基结的光生伏打效应和三极管的电流放大特性结合起来，可以获得优于光敏二极管的灵敏度，但暗电流增大，温度特性和线性度较差。为了改善这些不足，常在一片硅片上分别制成光敏二极管和三极管或复合管。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条