1) Tranvers magnetic modulation
横向磁场调制
2) transverse magnetic field
横向磁场
1.
Mechanical Properties of Iron Based Surfacing Alloys Applied DC Transverse Magnetic Field;
直流横向磁场作用下铁基堆焊合金的力学性能
2.
In order to refine the structure of deposited metal and control the morphology and distribution of hard phases in surfacing deposited metal, DC transverse magnetic field was applied to the carbon arc surfacing of Cr-B-Ni-V iron based alloy system.
采用碳弧堆焊方法对Cr-B-Ni-V系铁基合金堆焊时加入直流横向磁场,来细化堆焊层金属的组织,控制硬质相的形态及分布。
3.
A one-di-mensional transverse magnetic field may cause an ecc.
一维横向磁场将使液池发生偏心喷溅，加剧了液滴的发射；二维横向磁场则可减轻液池的喷溅。
3) Transverse flux
横向磁场
1.
Transverse flux permanent propulsive magnetic(TFPPM)motor has low speed,high torque density and is widely researched as propulsive motor.
由于横向磁场永磁同步电动机具有低转速、高转矩密度的特点,在推进电机领域被广泛研究。
2.
Based on the study of the torque and power factor equations, this paper proposed a new view on the characteristic of the transverse flux permanent machines.
基于电机转矩和功率因数方程研究的基础,提出了一种依据电、磁负荷等参数解释横向磁场高转矩密度和低功率因数性能特点的新观点。
3.
The operation principle of the transverse flux permanent motor, classification, characteristics and the developing situation have been introduced by the paper.
文章详细介绍了横向磁场永磁电机的工作原理。
4) modulated by the orientation of magnetic fields
磁场方向调制
1.
Two-electron InAs quantum-dot-molecular qubit modulated by the orientation of magnetic fields;
磁场方向调制的InAs量子点分子量子比特
5) slot cross field
槽横向磁场
6) transverse modulation
横向调制
1.
A phenomenon of transverse modulation can be seen in the rolls as decreasing the driving voltage further.
进一步降低驱动电压,在条纹斑图中观察到了横向调制失稳现象。
补充资料：横向磁场中的空心超导圆柱体（hollowsuperconductingcylinderinatransversalmagneticfield）
横向磁场中的空心超导圆柱体（hollowsuperconductingcylinderinatransversalmagneticfield）
垂直于柱轴（横向）磁场H0中的空心超导长圆柱体就其磁性质讲是单连通超导体。徐龙道和Zharkov由GL理论给出中空部分的磁场强度H1和样品单位长度磁矩M的完整解式，而在`\zeta_1\gt\gt1`和$\Delta\gt\gt1$条件下为：
$H_1=\frac{4H_0}{\zeta_1}sqrt{\frac{\zeta_2}{\zeta_1}}e^{-Delta}$
$M=-\frac{H_0}{2}r_2^2(1-\frac{2}{\zeta_2})$
这里r1和r2分别为空心柱体的内、外半径，d=r2-r1为柱壁厚度，ζ=r/δ(r1≤r≤r2)，Δ=d/δ，δ=δ0/ψ，δ0为大样品弱磁场穿透深度，ψ是有序参量。显然此时H1→0，M→-H0r22/2，样品可用作磁屏蔽体。当$\zeta_1\gt\gt1$，$\Delta\lt\lt1$时，则
H1=H0/(1 ζ1Δ/2)，
M=-H0r23[1-(1 ζ1Δ/2)-1]。
若$\zeta_1\Delta\gt\gt1$，则$H_1\lt\ltH_0$或H1≈0。所以，虽然$d\lt\lt\delta$，但磁场几乎为薄壁所屏蔽而难于透入空心，称ζ1Δ/2为横向磁场中空心长圆柱体的屏蔽因子。当$\zeta_1\Delta\lt\lt1$时，则H1≈H0，磁场穿透薄壁而均进入空腔，失去屏蔽作用，此时M≈0。类似于实心小样品，由GL理论可求出薄壁样品的临界磁场HK1，HK，HK2和临界尺寸等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条