1) acetylene / nonlinear optical materials
乙炔/非线性光学材料
2) nonlinear optical material
非线性光学材料
1.
Mechanism and characteristics of the new organic nonlinear optical material urea L-malic acid film;
新型有机非线性光学材料L-苹果酸脲薄膜形成机理及性质研究
2.
Organic nonlinear optical material produce under π system influence;
π体系影响下产生的有机非线性光学材料
3.
The principle of molecular design on the nonlinear optical materials has been introduced, and taking the long chain conjugated molecules and fullerenes including its derivatives as the examples, our research results have been reported.
本文介绍了非线性光学材料分子设计的原理,并以共轭长链分子和碳笼及其衍生物为例报道了我们在这方面的研究工作。
3) nonlinear optical materials
非线性光学材料
1.
Progress in studies of porphyrins as nonlinear optical materials;
卟啉非线性光学材料研究进展
2.
The excellence performance of conducting polymers such as polyacetylene, polythiophene, polyaniline , poly ( p -phenylphenylene vinylene) and their derivates acting as the nonlinear optical materials and the applications of conducting polymers eletroluminescene and the luminescene materials in the practicality field were also introduced.
论述了聚乙炔、聚苯胺、聚噻吩、聚对苯乙烯撑 (PPV)及其衍生物等导电高分子材料作为非线性光学材料所具有的优良性能 ,介绍了导电高分子电致发光材料和发光材料在实际领域中的应用 。
3.
The development of material design of organic second order nonlinear optical materials is re-viewed.
综述了有机二阶非线性光学材料的材料设计研究进展,详细讨论了插层材料、极化有机聚合物和有机-无机复合材料的研究现状和未来的研究方向。
4) nonlinear optic material
非线性光学材料
1.
We found the pyridine-2-formyl salicylhydrazide-4-nitro,1-oxide is a nonlinear optic material and introduced the unique synthetic method and elucidated structures of the pyridine-2-formyl salicylhydrazide-4-nitro,1-oxide.
通过对含氮杂环系列衍生物的光、磁性质研究,发现了N-氧化4-硝基吡啶2-甲酰水杨酰肼是一种新的二阶非线性光学材料。
6) IR nonlinear optical material
红外非线性光学材料
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条