1) DR system
（DR）系统
2) PNP/Mep-dR suicide gene system
PNP/Mep-dR系统
3) Digital Radiography(DR) Maintenance
DR系统的维修
4) A/D
A/D
1.
New Virtual Instrument Measuring Torsional Vibration with A/D Technique;
基于A/D采样技术的新型扭转振动测量虚拟仪器
2.
Design of A/D and D/A Converters Using Neuron MOS Transistor;
神经MOS晶体管在A/D和D/A转换器中的应用
3.
A/D Device Driver of Based on μClinux and S3C44B0X;
基于μClinux和S3C44B0X的A/D设备驱动程序的设计
5) D/A
D/A
1.
Infrared Signal Simulator Based on High Speed and High Accuracy D/A;
基于高速高精度D/A的红外信号模拟器实现
2.
Realization of D/A using on-chip PWM channel in the TMS320LF2407A-based system;
基于TMS320LF2407A片内PWM通道的D/A功能实现
3.
Design of a Kind of 16～24 Resolution D/A Converters;
一种16～24位分辨率D/A转换器的设计
6) IID
ⅡD
1.
Performance analysis of ARMA control chart for IID variables;
首先从历史数据加权角度对应用于ⅡD(independent identical distribution)变量的ARMA控制图统计量进行了分析,结果表明,ARMA统计量对历史数据处理的灵活性优于文中提到的一元控制图,尤其是对当前数据的处理更能适应不同情况的需要,可以选择不同的控制图参数来提高控制图检测异常原因的能力。
参考词条
补充资料：DR方程
分子式：
CAS号：
性质：低于组分临界温度时的单组分吸附等温方程。对细孔活性炭，该方程为式中，q为吸附剂的吸附量；Wt为活性炭的吸附空间的极限总体积，它近似等于微孔的总容积；Vm为摩尔容积；T为绝对温度；βa为吸附势比值；p为吸附质在气体混合物中的分压，p0为饱和蒸汽压；B=(2.3R)2k是；R为气体常数；k为与微孔数量及大小分布有关的常数。B值在0.2×10-6至10×10-6之间。对粗孔活性炭，DR方程为式中，A=2.3Rk1，k1为常数，A值在0.2×10-2 至0.4×10-2之间。
CAS号：
性质：低于组分临界温度时的单组分吸附等温方程。对细孔活性炭，该方程为式中，q为吸附剂的吸附量；Wt为活性炭的吸附空间的极限总体积，它近似等于微孔的总容积；Vm为摩尔容积；T为绝对温度；βa为吸附势比值；p为吸附质在气体混合物中的分压，p0为饱和蒸汽压；B=(2.3R)2k是；R为气体常数；k为与微孔数量及大小分布有关的常数。B值在0.2×10-6至10×10-6之间。对粗孔活性炭，DR方程为式中，A=2.3Rk1，k1为常数，A值在0.2×10-2 至0.4×10-2之间。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。