1)  NAD
氧化型辅酶I
2)  oxidation
氧化
1.
New process of isobutyric acid from isobutyraldehyde by water oxidation;
异丁醛加水氧化制异丁酸新工艺
2.
Catalytic oxidation of cyclohexanol into adipic acid using ammonium tungstate as catalyst;
钨酸铵催化氧化环己醇合成己二酸
3.
Oxidation Ability of Nanocrystalline Ni-Coated Al Powders;
纳米镍包覆超细铝复合粉末的氧化性能
3)  oxidization
氧化
1.
A Study of Fish Oil Extraction and Its Autioxidization;
鱼油提取及抗氧化性能研究
2.
Optimization plans for oxidization process of hydrogen peroxide production;
过氧化氢生产中氧化工序的优化
3.
Effective Factors on Lignin-based Surfactant Made by Oxidization of Wheat-straw Alkaline Lignin;
木质素氧化制取表面活性剂的适宜条件
4)  NO oxidation
NO氧化
1.
The results showed that NO reduction and NO oxidation.
结果表明:NO还原和氧化在其脱除过程中同时共存,当NO,N2,O2,H2O和CO2的体积浓度分别为200×10-6,80%,5%,6%和9%时,NO氧化所占的比例比NO还原的大很多;脉冲频率增大导致NO还原率和氧化率均增大;H2O浓度增大导致HNO3浓度增大,表明NO氧化所占的比例随H2O浓度增大而增大。
2.
The catalytic activities of four kinds of supports γ Al 2O 3, ZrO 2, TiO 2 and SiO 2 as well as the Pt catalysts supported on them were investigated for the NO oxidation at the reaction temperature 423K.
研究了载体在 SO2 影响 NO催化氧化过程中的作用 ,考察了反应温度为 42 3 K时 ,γ-Al2 O3、Zr O2 、Ti O2 和 Si O2 4种载体及其负载的 Pt催化剂对 NO的氧化性能 ,与 SO2 存在下的 NO反应活性相比 ,只有 γ-Al2 O3及其负载的 Pt催化剂上存在 SO2 促进 NO氧化的现象。
3.
A study is carried out to see the effects of reaction temperatures and / molar ratios on NO oxidation by ozone in a tube reactor.
当[O3]/[NO]=1、反应温度分别为常温和200℃时,NO氧化率都达到100%,而在275℃时,NO氧化率只有72%,表明反应温度影响显著,其原因主要与较高温度下O3分解加快有关。
5)  oxidize
氧化
1.
Copper colloid oxidized by air to prepare cuprous oxide nanoparticles;
铜胶体氧化法制备纳米氧化亚铜
2.
The representative endocrine disrupters(EDCs)Methomyl was oxidized by O3 and the impact of humic acid, hydrogen peroxide and hydroxyl radical inhibitor hydrogen carbonate ion and tert-butyl alcohol (TBA) on the Methomyl removal was discussed.
采用O3氧化去除水中内分泌干扰物灭多威,通过投加腐殖酸、过氧化氢及羟自由基抑制剂碳酸根离子和叔丁醇,考察灭多威的去除效果。
6)  Oxygenation
氧化
1.
Effects of Oxygenation/Antioxygenation Imbalance in Pathogenesis and Therapy of Pulmonary Interstitial Fibrosis;
氧化/抗氧化失衡在肺间质纤维化形成及防治中的作用
2.
nitro-4-methysulfonyl benzoic acid is synthesized from 4-methysulfonyl toluene by nitration and oxygenation, using sodium dichromate as an oxidizing agent.
本研究以对甲砜基苯甲酸为原料,经硝化、重铬酸钠氧化,制得2硝基4甲砜基苯甲酸,两步反应总收率达80%,产品纯度≥99%。
3.
Chemical modification including oxygenation, esterify, graft copolymerization and so on.
化学改性主要有氧化、交联、酯化和接枝共聚。
参考词条
补充资料：增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路
    　　耗尽型MOS晶体管用作负载管，增强型MOS晶体管用作驱动管组成反相器（图1），并以这种反相器作为基本单元而构成各种集成电路。这种集成电路简称E/D MOS。
　　
　　
　　特点 　E/D MOS电路的速度快，电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下，充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中，作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源（栅与源相连,其电压uGS＝0）状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS～VDS曲线，沿纵轴翻转180o,取出其中uGS＝0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载（图2）。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路，可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5～1/8。此外，由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失，最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此，比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好，为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比，E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
　　
　　
　　结构与工艺 　只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）。其中耗尽管的初始沟道，是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接，在生长多晶硅之前，需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面：引用氮化硅层实现选择性氧化，降低了场氧化层的台阶；②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子；③硅栅自对准：用多晶硅作栅，可多一层布线。结合自对准，可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
　　
　　
　　采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路，已达到tpd≈4纳秒，功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门／毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路（见互补金属-氧化物-半导体集成电路）比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合，是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
　　

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。