1) methodoligical basis
方法学基础
2) basic traditional chinese medical formulae
基础方剂学
3) Methodological basis
方法论基础
1.
In addition,as the methodological basis,it stipulates for the necessity and the possibility of philosophical application,and disposes its success or failure.
价值理性规定着哲学应用的必要性、可能性及其应用结果的成败 ,是哲学应用的方法论基
4) legal philosophical foundation
法哲学基础
1.
Based on the discussion of the legal philosophical foundation,social condition and legal value of tax constitutionalism in Western countries,the article analyses the causes of the lack of tax constitution in China and the harm it has brought about.
西方国家税收立宪的法哲学基础和社会条件在于自然法思想和多元权力的相互抗衡,其法律价值旨在制约政府的征税权和控制立法权。
5) background batch process
基础程序组方法
6) program-based budgeting
方案基础预算法
补充资料：场效应晶体管的分类方法以及基础知识介绍
场效应晶体管(FET)简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条