1) Implantation radiation
植入照射
2) implantation irradiation
插植照射
3) interstitial irradiation
插入照射
4) incident illumination
入射照明
5) reflective instrumentation
反射植入
1.
A program understanding technique that combines open compile analysis and reflective instrumentation dynamic analyses is introduced to construct static and dynamic combined call graph for assisting program comprehension.
针对静态程序分析得到的信息冗余且无法反映面向对象目标系统多态和动态绑定的本质特征,而动态分析则与动态程序执行有关的,无法得到完整的依赖关系,提出反射植入动态分析和开放编译静态分析相结合的方式,并将得到的静态和动态信息有机结合起来产生动静态结合程序依赖图。
6) interstitial appliance
组织间(植入β源照射)装置
补充资料：照射量与照射量率
分子式：
CAS号：
性质：照射量是指X或γ射线在质量为dm的一个体积元内，当光子产生的全部电子都被阻留在空气中所形成的一种符号的离子总电荷的绝对值dQ、除以dm，即照射量X=dQ/dm。SI单位为库仑每千克(c/kg)。专用单位为伦琴(R)，1R=2.58×10-4C/kg。照射量率定义为单位时间内的照射量。用X表示，X=dX/dt，式中dx为dt时间内照射量的增量。单位为库仑每千克秒[C/(kg·s)]。
CAS号：
性质：照射量是指X或γ射线在质量为dm的一个体积元内，当光子产生的全部电子都被阻留在空气中所形成的一种符号的离子总电荷的绝对值dQ、除以dm，即照射量X=dQ/dm。SI单位为库仑每千克(c/kg)。专用单位为伦琴(R)，1R=2.58×10-4C/kg。照射量率定义为单位时间内的照射量。用X表示，X=dX/dt，式中dx为dt时间内照射量的增量。单位为库仑每千克秒[C/(kg·s)]。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条