1) iNos
可诱导型一氧化氮合酶
1.
Objective To study the effects of Ginkgo biloba extract(EGb761) on the expression of nuclear factor-kappa B(NF-κB), contents of nitric oxide(NO) and inducible nitric oxide synthase(iNOS) in C6 glioma cells.
目的研究银杏叶提取物(EGb761)对C6胶质瘤细胞核转录因子-κB(NF-κB)表达和可诱导型一氧化氮合酶(iNOS)、一氧化氮(NO)生成的影响。
2.
Effects of the Antioxidant Rutin on the Expression of iNOS Gene in Astrocytes;
研究抗氧化剂芦丁对星形胶质细胞可诱导型一氧化氮合酶基因表达的抑制作用,并探讨其作用的机制。
2) Inducible nitric oxide synthase
诱导型一氧化氮合酶
1.
Effects of inducible nitric oxide synthase derived nitric oxide on apoptosis of HL-60 cells co-cultured with RAW264.7 macrophages;
巨噬细胞中诱导型一氧化氮合酶来源的NO对共培养HL-60细胞凋亡的影响
2.
Inhibitive effect of tacrolimus on expression of inducible nitric oxide synthase in rats following contusion spinal cord injury;
FK506抑制脊髓挫伤后诱导型一氧化氮合酶表达的实验研究
3.
Effect of melatonin on expression of inducible nitric oxide synthase in human retinal pigment epithelial cells cultured with high glucose;
褪黑素对高糖刺激人视网膜色素上皮细胞诱导型一氧化氮合酶表达的影响
3) Inducible nitric oxide synthase(iNOS)
诱导型一氧化氮合酶
1.
To probe the activity of inducible nitric oxide synthase(iNOS) in liver,the concentration of nitric oxide(NO) in serum and its inhibition or killness on coccidia in Eimeria stiedai infected rabbits,the infected rabbits were injected with the substrate of nitric oxide synthase L-arginine(L-Arg) and the inhibitor of inducible nitric oxide synthase L-aminoguanidine(L-AG) through the abdominal cavity.
stiedai)感染兔肝脏诱导型一氧化氮合酶(iNOS)活性和血清NO浓度变化以及NO对兔球虫的抑制或杀伤作用,以腹腔注射途径给予球虫感染家兔一氧化氮合酶(NOS)底物L-精氨酸(L-Arg)和iNOS抑制剂L-氨基胍(L-AG),对家兔球虫感染时肝脏iNOS活性、血清NO浓度、每克粪便的球虫卵囊数(OPG)、肝的剖检和镜下病变及其病变计分进行了研究。
2.
Object: To investigate the different expression of inducible nitric oxide synthase(iNOS) among normal buccal mucous (NBM), oral submucous fibrosis(OSF), oral lichen planus(OLP), oral leukoplakia(OLK) and oral squamous cell carcinoma(OSCC), so as to evaluate the carcinogenic ability of OSF and discuss the role of iNOS in the carcinogenesis of OSF.
目的通过研究诱导型一氧化氮合酶(inducible nitric oxidesynthase,iNOS)在正常口腔粘膜(Normal buccal mucous,NBM)、口腔粘膜下纤维化(oral submucous fibrosis,OSF)、口腔扁平苔藓(orallichen planus,OLP)、口腔白斑(oral leukoplakia,OLK)和口腔鳞癌(oral squamous cell carcinoma,OSCC)组织中的表达差异,探讨OSF癌变潜能大小及iNOS在其癌变过程中的可能作用。
4) iNOS
诱导型一氧化氮合酶
1.
To construct the the rAAV vectot delivery of iNOS mRNA antisense;
诱导型一氧化氮合酶反义RNA重组腺相关病毒载体的构建
2.
Expression and Significance of HIF-1α and iNOS in human middle ear cholesteatoma epithelium;
缺氧诱导因子-1α及诱导型一氧化氮合酶在中耳胆脂瘤上皮中的表达及意义
3.
iNOS,ONOO~- expression indued by alumina and ultra-high-molecular-weight polyethylene wear particles;
氧化铝陶瓷和高分子聚乙烯磨损颗粒刺激诱导型一氧化氮合酶和过氧亚硝基阴离子生成的实验研究
5) Induced nitric oxide synthase
诱导型一氧化氮合酶
1.
Objective To investigate the role of induced nitric oxide synthase and nitric oxide and of hyperbaric oxygen therapy on the hepatic artery ligation rat.
目的探讨大鼠肝脏及血清诱导型一氧化氮合酶、一氧化氮在肝动脉结扎损伤中的意义及高压氧的治疗作用。
6) iNOS
诱导型一氧化氮合成酶
1.
Expression and significance of iNOS in rat corneal neovascularization;
诱导型一氧化氮合成酶在大鼠角膜新生血管模型的表达及意义
2.
Methods Capillary electrophoresis and reverse transcription-polymerase chain reaction (RT-PCR) were used to measure the mRNA expressions of albumin, TNFα , IL-1α, IL-6R and iNOS respectively and the change of plasma albumin on 1,3,6 and 9 postburn day (PBD) in rats in early enteral feeding group (EF) and in L-arginine enriched e.
方法 应用反转录聚合酶链式反应 (RT -PCR)和毛细管电泳半定量检测白蛋白等的mRNA表达 ,观察富含精氨酸早期肠内营养组 (AEF组 )及单纯早期肠内营养组(EF)大鼠在烧伤后第 1、3、6、9天肝脏白蛋白、肿瘤坏死因子α(TNFα)、白细胞介素 1α(IL - 1α)、白细胞介素 6受体 (IL - 6R)、诱导型一氧化氮合成酶 (iNOS)的mRNA表达及血浆白蛋白的变化。
3.
Objective To investigate the effects of UVA irradiation on expression of inducible nitric oxide synthase(iNOS) mRNA,iNOS protein and the change of morphology of Human primary fibroblasts.
目的通过检测UVA照射后人皮肤成纤维细胞的细胞形态及诱导型一氧化氮合成酶(iNOS)和一氧化氮(NO)表达,初步探讨UVA引起成纤维细胞光损伤的发病机制。
补充资料：增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路
耗尽型MOS晶体管用作负载管，增强型MOS晶体管用作驱动管组成反相器（图1），并以这种反相器作为基本单元而构成各种集成电路。这种集成电路简称E/D MOS。
特点 E/D MOS电路的速度快，电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下，充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中，作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源（栅与源相连,其电压uGS＝0）状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS～VDS曲线，沿纵轴翻转180o,取出其中uGS＝0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载（图2）。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路，可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5～1/8。此外，由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失，最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此，比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好，为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比，E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
结构与工艺 只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）。其中耗尽管的初始沟道，是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接，在生长多晶硅之前，需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面：引用氮化硅层实现选择性氧化，降低了场氧化层的台阶；②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子；③硅栅自对准：用多晶硅作栅，可多一层布线。结合自对准，可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路，已达到tpd≈4纳秒，功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门／毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路（见互补金属-氧化物-半导体集成电路）比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合，是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
特点 E/D MOS电路的速度快，电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下，充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中，作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源（栅与源相连,其电压uGS＝0）状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS～VDS曲线，沿纵轴翻转180o,取出其中uGS＝0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载（图2）。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路，可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5～1/8。此外，由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失，最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此，比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好，为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比，E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
结构与工艺 只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）。其中耗尽管的初始沟道，是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接，在生长多晶硅之前，需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面：引用氮化硅层实现选择性氧化，降低了场氧化层的台阶；②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子；③硅栅自对准：用多晶硅作栅，可多一层布线。结合自对准，可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路，已达到tpd≈4纳秒，功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门／毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路（见互补金属-氧化物-半导体集成电路）比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合，是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条