1) neuronal nitric oxide synthase
神经型一氧化氮合酶
1.
Effect of Niupo Zhibao Pellet on expression of neuronal nitric oxide synthase in brain of endotoxin-induced shock rats;
牛珀至宝微丸对内毒素休克大鼠脑神经型一氧化氮合酶表达的影响
2.
The association of PSD-95 and neuronal nitric oxide synthase (nNOS) was investigated by immunofluorescence double staining.
为了探讨突触后密度蛋白-95(PSD-95)在周围神经损伤过程中的表达变化,本实验建立大鼠坐骨神经夹伤模型,采用荧光定量PCR(real-timePCR)和Western blotting对PSD-95 mRNA及其蛋白水平进行定量检测,应用免疫荧光双标技术观察PSD-95与神经型一氧化氮合酶(nNOS)的共定位情况。
3.
Objective: To investigate the effects of growth hormone(GH) on the erectile function and the number of neuronal nitric oxide synthase (nNOS)-containing nerve fibers in the penis of aged rats.
目的:研究生长激素(GH)对老年大鼠勃起功能及阴茎组织中神经型一氧化氮合酶(nNOS)神经纤维的影 响。
2) nNOS
神经型一氧化氮合酶
1.
To study the expression of carboxy-terminal PSD-95/DLG/ZO-1 ligand of nNOS(CAPON)and Dexras1 mRNA during development in spinal cord of rat.
为探讨大鼠发育过程中神经型一氧化氮合酶羧基末端PSD-95/DLG/ZO-1(PDZ)结合配体(carboxy-terminal PDZ ligandof nNOS,CAPON)与Dexras1 mRNA的表达及二者的相关性,本实验采用大鼠发育模型,通过实时荧光定量聚合酶链式反应(Realtime-PCR)及原位杂交组织化学(ISH)与免疫组织化学相结合的技术检测脊髓组织中CAPON及Dexras1 mRNA的表达变化。
2.
Objective To study the relation of diabetic erectile dysfunction (ED) and neuronal nitric oxide synthase (nNOS) expression in sciatic nerve,pudendal nerve and nerves in penis.
目的研究糖尿病(Diabetes mullitus,DM)对大鼠坐骨神经、阴部神经及阴茎海绵体中神经型一氧化氮合酶(nNOS)变化及其与勃起功能障碍的相关性。
3.
Objective To investigate the effect of bilateral internal iliac arterial ligation on nNOS-containingnerve fibers and eNOS in corpus cavernosum of rats.
目的 研究髂内动脉结扎对大鼠阴茎海绵体组织神经型一氧化氮合酶(nNOS)神经纤维及内皮型一氧化氮合酶(eNOS)表达的影响。
3) neuronal nitric oxide synthase(nNOS)
神经型一氧化氮合酶
1.
The study,using SABC immune histochemistry technique,was designed for observing the modality,structure and distributed law of neuronal nitric oxide synthase(nNOS) positive neurons in rabbit brain.
利用SABC免疫组织化学方法,对兔脑神经型一氧化氮合酶(nNOS)阳性神经元的形态、结构及分布规律进行了系统研究,结果表明:①nNOS阳性神经元呈深棕色,着色主要在胞质内,细胞核处较为浅淡;神经元胞体形态多种多样,有三角形、圆形、椭圆形、梭形等,神经元突起有一个或者数个;nNOS阳性神经纤维大多呈棕色串珠样,有些区域的阳性纤维交错分布,相互交织成网状。
4) nNOS
神经元型一氧化氮合酶
1.
Expression of nNOS mRNA of brain tissue at early stage of intracerebral hemorrhage in rats and the intervention effect of Didangtang;
大鼠脑出血早期脑组织神经元型一氧化氮合酶mRNA表达及中药抵当汤干预对其的影响
2.
THE EFFECT OF TAURINE ON nNOS POSITIVE NEURON IN HIPPOCAMPUS OF RAT INDUCED BY LEAD LESION;
牛磺酸对染铅大鼠海马神经元型一氧化氮合酶阳性神经元的影响
3.
An experimental study on nNOS-positive neurons in a rat model of Parkinson s disease;
帕金森病大鼠模型神经元型一氧化氮合酶(nNOS)阳性神经元的实验研究
5) neuronal nitric oxide synthase (nNOS)
神经元型一氧化氮合酶
1.
Objective To investigate the expression of neuronal nitric oxide synthase (nNOS) in spinal dorsal horn and the effect of intrathecal katemine on the expression of nNOS in the rats with formalin-induced pain.
目的:观察甲醛炎性疼痛大鼠脊髓背角神经元型一氧化氮合酶(nNOS)的表达,以及鞘内注射氯胺酮对甲醛炎性痛大鼠脊髓背角nNOS表达的影响。
2.
This study is to observe the relationship between exercise-induced fatigue (EIF) and expression of neuronal nitric oxide synthase (nNOS) in ventromedial hypothalamic nucleus (VMH) and dorsomedial hypothalamic nucleus (DMH).
为研究下丘脑腹内侧核和背内侧核中神经元型一氧化氮合酶 (nNOS)与运动疲劳的关系,采用雄性大鼠经 4周大强度游泳训练制成运动性疲劳模型,用ABC免疫组织化学方法观测两核中nNOS阳性神经元的表达状况,并进行图像分析和统计学处理。
3.
With the advance of study about HIBD,there is increasing evidence that neuronal nitric oxide synthase (nNOS) mediates early neuronal injury .
近年来随着研究的不断深入，表明神经元型一氧化氮合酶(nNOS)参与了HIBD时神经元损伤过程。
6) Neuronal nitric oxide synthase
神经元型一氧化氮合酶
1.
Distribution of neuronal nitric oxide synthase-immunopositive neurons in rat corpus striatum and their ultrastructures;
大鼠纹状体神经元型一氧化氮合酶神经元的分布和超微结构特征
2.
Distribution of neuronal nitric oxide synthase immunopositive neurons in cerebrum of rats;
大鼠端脑神经元型一氧化氮合酶免疫阳性神经元的分布
3.
The expression of neuronal nitric oxide synthase in caudal medulla of two-kidney one clip Goldblatt hypertension rat;
肾性高血压大鼠延髓尾端神经元型一氧化氮合酶表达的改变
补充资料：增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路
耗尽型MOS晶体管用作负载管，增强型MOS晶体管用作驱动管组成反相器（图1），并以这种反相器作为基本单元而构成各种集成电路。这种集成电路简称E/D MOS。
特点 E/D MOS电路的速度快，电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下，充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中，作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源（栅与源相连,其电压uGS＝0）状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS～VDS曲线，沿纵轴翻转180o,取出其中uGS＝0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载（图2）。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路，可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5～1/8。此外，由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失，最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此，比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好，为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比，E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
结构与工艺 只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）。其中耗尽管的初始沟道，是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接，在生长多晶硅之前，需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面：引用氮化硅层实现选择性氧化，降低了场氧化层的台阶；②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子；③硅栅自对准：用多晶硅作栅，可多一层布线。结合自对准，可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路，已达到tpd≈4纳秒，功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门／毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路（见互补金属-氧化物-半导体集成电路）比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合，是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
特点 E/D MOS电路的速度快，电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下，充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中，作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源（栅与源相连,其电压uGS＝0）状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS～VDS曲线，沿纵轴翻转180o,取出其中uGS＝0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载（图2）。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路，可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5～1/8。此外，由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失，最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此，比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好，为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比，E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
结构与工艺 只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）。其中耗尽管的初始沟道，是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接，在生长多晶硅之前，需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面：引用氮化硅层实现选择性氧化，降低了场氧化层的台阶；②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子；③硅栅自对准：用多晶硅作栅，可多一层布线。结合自对准，可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路，已达到tpd≈4纳秒，功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门／毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路（见互补金属-氧化物-半导体集成电路）比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合，是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条