1) CdWO4
钨酸镉晶体
2) cadmium gadolinium tungstate crystal
钨酸钆镉晶体
3) gadolinium cadmium tungstate single crystal
钨酸钆镉单晶
4) cadmium sulfate
硫酸镉晶体
1.
The Raman spectra of the dehydration process of cadmium sulfate(3CdSO_(4)·8H_2O) crystal and rehydration process of CdSO_4 were studied.
研究了八水合三硫酸镉晶体在空气中受热脱水过程的傅立叶变换拉曼光谱。
5) CdWO_4
钨酸镉
1.
Influence of annealing in different air atmosphere on optical properties of CdWO_4;
退火对钨酸镉晶体光谱性能影响的研究
6) cadmium borotungstate
钨硼酸镉
补充资料：二磷化硅镉晶体
分子式： CdSiP2
CAS号：
性质：周期表第Ⅱ,IV,V族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分,正方晶系黄铜矿结构。为复式晶格,直接带隙半导体。室温禁带宽度2.40eV。电子迁移率1.5×10-2m2/(V·s)。熔点1120℃。采用化学气相沉积法、锡溶液生长法等制备。
CAS号：
性质：周期表第Ⅱ,IV,V族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分,正方晶系黄铜矿结构。为复式晶格,直接带隙半导体。室温禁带宽度2.40eV。电子迁移率1.5×10-2m2/(V·s)。熔点1120℃。采用化学气相沉积法、锡溶液生长法等制备。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条