1) silicon addition
合金元素 Si
2) Al-Si binary alloys
Al-Si二元合金
4) Al-Si alloy
Al-Si合金
1.
Simulation of mold filling and solidification on gravity casting of Al-Si alloy(A357);
Al-Si合金(A357)重力铸造充型及凝固过程模拟
2.
Electromagnetic Separation of Magnetic Impurity Particles in Al-Si Alloy Melt;
Al-Si合金熔体中磁性杂质颗粒的电磁分离
3.
Effects of high magnetic fields on the distribution of Si in solidified structures of Al-Si alloy;
强磁场对Al-Si合金凝固组织中硅分布的影响
5) Cu-Si Alloy
Cu-Si合金
1.
High Temperature Oxidation Behavior of Cu-Si Alloy Prepared by Different Techniques;
不同方法制备的Cu-Si合金的高温氧化行为
2.
The oxidation resistance of two nanocrystalline Cu-Si alloys with different grain sizes prepared by conventional casting(CA) and mechanical alloying(MA) techniques were studied by the thermo-gravimetric method at 700 ℃ and 800 ℃ in 105 Pa flowing pure O2 for 24 h.
采用电弧熔炼和机械合金化方法制备了两种晶粒尺寸差别较大的Cu-Si合金,并采用热重分析方法对其在700℃和800℃、1×105Pa流动O2中氧化24 h的抗高温氧化性能进行了研究。
3.
The oxidation behaviour of casting Cu-Si alloys was studied at 700 ℃ and 800 ℃ in pure O2.
为了研究Si的添加量对Cu高温氧化行为的影响,采用电弧熔炼(CA)方法制备2种成分的Cu-Si合金(CA Cu-0。
6) Fe-Si alloy
Fe-Si合金
1.
Influence of Preparation Technology on High Temperature Oxidation Behavior of Cu-Si and Fe-Si Alloys;
工艺方法对Cu-Si和Fe-Si合金高温氧化行为的影响
2.
Mechanical alloying and phase transformation in Fe-Si alloy
Fe-Si合金的机械合金化及其相变研究(英文)
3.
Effect of electric pulse on solidification structures of the Fe-Si alloy with different Si concentration of 2.
在一定过热度(1550℃)的情况下,对不同成分的Fe-Si合金进行电脉冲处理,比较其凝固组织,结果发现:经电脉冲孕育处理后,Si含量为2。
补充资料：超导元素及合金和化合物
到目前为止，人们已发现在正常压力下有28种元素、约5000种合金和化合物具有超导电性。
超导元素 表1给出了所有超导金属元素的临界温度和临界磁场（T=0K时）。正常压力下铌的临界温度是超导元素中最高的，T0=9.26K；元素中临界温度最低的是钨，T0=0.012K。
超导元素在周期表中的分布有如下的规律：①碱金属Li、Na、K、Ru、Cs和良导体 Cu、Ag、Au等一价元素均不是超导体；②Cr、Mn、Fe、Ni、Co等铁磁性或反铁磁性元素也都不是超导体;③超导元素的价电子数Z有下列关系:2〈Z〈8；④除个别例外，超导元素明显地可分为过渡金属和非过渡金属两个集团。在过渡金属中,Z为奇数的元素,T0较高。当Z=5和7时,T0出现峰值。对于非过渡金属，T0随Z 增大而单调地增高。
某些元素只有在高压下或低温底板上淀积为薄膜时才呈现超导电性。前者如Cs、Ba、Y、Ce、Si、Ge、P、As、Sb、Bi、Se、Te和Lu等；后者如Bi。在低温底板上淀积 W、Be、Ga、Al、In和Sn的薄膜，其T0与大块材料相比，都有较大的提高。值得强调的是，稀土元素La在150kbar压力下, 其T0高达12K。通常T0对少量杂质并不敏感，但磁性杂质（如Ir和Mo）会使T0降低，甚至使超导电性消失。
超导合金和化合物 表2中给出了一些合金和化合物的超导临界温度和临界磁场。
迄今具有最高临界温度的超导化合物是 Nb3Ge,T0=23.2K；Pb0.7Eu0.3Gd0.2(Mo6S8)的临界磁场最高,Hc2(0)约700kGs。Nb-Ti合金、Nb3Sn和V3Ga是目前最主要的实用超导材料。（根据1986年以前的资料）
此外，合金和化合物的超导电性还有一些引人注目的性质。例如，即使由非超导元素组成的一些化合物，像Au2Bi，GePt和CuS等，结果变成了超导体。而化合物ErRh4B4却存在着两个临界温度,在第一个临界温度Tc1≈8.55K，它变为超导体，而随着温度的继续降低,在第二个临界温度Tc2≈0.9K时，又从超导态过渡到正常态。
参考书目
管惟炎、李宏成、蔡建华、吴杭生等著：《超导电性·物理基础》，科学出版社，北京，1981。
超导元素 表1给出了所有超导金属元素的临界温度和临界磁场（T=0K时）。正常压力下铌的临界温度是超导元素中最高的，T0=9.26K；元素中临界温度最低的是钨，T0=0.012K。
超导元素在周期表中的分布有如下的规律：①碱金属Li、Na、K、Ru、Cs和良导体 Cu、Ag、Au等一价元素均不是超导体；②Cr、Mn、Fe、Ni、Co等铁磁性或反铁磁性元素也都不是超导体;③超导元素的价电子数Z有下列关系:2〈Z〈8；④除个别例外，超导元素明显地可分为过渡金属和非过渡金属两个集团。在过渡金属中,Z为奇数的元素,T0较高。当Z=5和7时,T0出现峰值。对于非过渡金属，T0随Z 增大而单调地增高。
某些元素只有在高压下或低温底板上淀积为薄膜时才呈现超导电性。前者如Cs、Ba、Y、Ce、Si、Ge、P、As、Sb、Bi、Se、Te和Lu等；后者如Bi。在低温底板上淀积 W、Be、Ga、Al、In和Sn的薄膜，其T0与大块材料相比，都有较大的提高。值得强调的是，稀土元素La在150kbar压力下, 其T0高达12K。通常T0对少量杂质并不敏感，但磁性杂质（如Ir和Mo）会使T0降低，甚至使超导电性消失。
超导合金和化合物 表2中给出了一些合金和化合物的超导临界温度和临界磁场。
迄今具有最高临界温度的超导化合物是 Nb3Ge,T0=23.2K；Pb0.7Eu0.3Gd0.2(Mo6S8)的临界磁场最高,Hc2(0)约700kGs。Nb-Ti合金、Nb3Sn和V3Ga是目前最主要的实用超导材料。（根据1986年以前的资料）
此外，合金和化合物的超导电性还有一些引人注目的性质。例如，即使由非超导元素组成的一些化合物，像Au2Bi，GePt和CuS等，结果变成了超导体。而化合物ErRh4B4却存在着两个临界温度,在第一个临界温度Tc1≈8.55K，它变为超导体，而随着温度的继续降低,在第二个临界温度Tc2≈0.9K时，又从超导态过渡到正常态。
参考书目
管惟炎、李宏成、蔡建华、吴杭生等著：《超导电性·物理基础》，科学出版社，北京，1981。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条