1) organic conductor and superconductor
有机导体超导体
2) organic superconductor
有机超导体
3) organic conductor
有机导体
1.
Thermal stability of organic conductor of N-n-butylisoquinoline 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane charge transfer complex;
有机导体TCNQ电荷转移复合物的热稳定性研究
2.
In addition,molecular crystals of organic conductors have been intensively studied in recent years in terms of one-dimensional conductors,photoconductors or superconductors.
本文在前人工作的基础上 ,对有机导体及有机超导体的发展历程、结构规律、导电性质作了总结 ;并对有机导体及超导体的单晶培养、晶体电导率的测量方法作了描述。
3.
The content in this paper is to describe about preliminary survey technology of conductor resistance,and the mainly content is to introduction about measure resistance of organic conductor,from the principle,it could be also to use for the resistance survey of common conductor.
在本文中所叙述的内容,主要是关于导体电阻的基本测量技术,重点介绍关于有机导体材料的电阻测量,从原理上讲,对于一般导体电阻的测定也是通用的。
4) Organic semiconductors
有机半导体
1.
Scanning tunneling microscopy studies on the epitaxial growth of organic semiconductors;
有机半导体外延生长的扫描隧道显微镜研究
2.
Based on the spin diffusion theory and the Ohm s law,we theoretically studied the spin polarized injection and transport through the ferromagnetic/organic semiconductor/ferromagnetic system and obtained the current spin polarization,which takes into account the special characteristics of organic semiconductors.
根据有机半导体中的电流自旋极化注入和输运实验现象,理论上研究了铁磁/有机半导体/铁磁系统的电流自旋极化性质。
3.
A theory for carrier concentration in physically doped organic semiconductors has been presented based on Gaussian energy distribution of the lowest unoccupied molecular orbitals (LUMOs) and the highest occupied molecular orbitals (HOMOs) as well as the Fermi - Dirac distribution of carriers in allowed quantum states.
基于最低未被占据分子轨道(LUMO)和最高被占据分子轨道(HOMO)的高斯态密度分布与载流子在允许量子态中的费米-狄拉克(Fermi-Dirac)分布,提出有机半导体中物理掺杂的理论模型;研究了掺杂浓度、温度和禁带宽度对载流子浓度的影响,并与一些报道的实验结果做了比较。
5) OPC
有机光导体
1.
Synthesis of hole transport material TTB and its application in OPC;
空穴传输材料TTB的合成及其在有机光导体中的应用
6) Organic photoconductor
有机光导体
1.
Introduced first here are the simple principles of the organic photoconductive materials, then the functions of the organic photoconductor drum, as a very important part in modern photoelectric imaging facilities, are described; finally some experience about the maintenance of OPC drum is summed up.
介绍了有机光导体材料的简单机理,描述作为现代主要光电成像设备的重要部件有机光导体鼓的功能,并对其使用情况与寿命进行了分析,并总结了几条OPC鼓维护和维修的经验。
2.
In this paper, advances in materials and applications of organic semiconductor solar sensors are reviewed, including modeling organic photoconductors and pr cells, design, synthesis, and purifications of solar grade organic photoconductors, fabrication and testing of pr cells.
本文研究了有机半导体太阳能传感器材料和应用进展,包括有机半导体材料和太阳能传感器模型,高品质有机光导体的设计、合成和提纯,有机半导体太阳能传感器的制造和试验等。
补充资料：高聚物半导体、导体、超导体
根据物质电导率的大小可按图1加以分类。
一般高聚物为绝缘体，这是由于其外层电子定域化所致。20世纪50年代末期，人们为了扩展高聚物的应用，用改变化学结构的方法来改变其电性能，如引入共轭双键或形成电荷转移络合物等使价电子非定域化，高聚物的电导率可发生十几至几十个数量级的变化，从而制成高聚物半导体、高聚物导体、高聚物超导体。
高聚物半导体的导电机理 为了说明导电现象, 对晶态高聚物通常采用能带模型；对非晶态高聚物用跳跃模型。按能带理论，在具有长程有序和原子密集的固体中，高聚物半导体同金属半导体一样，其能级形成导带和价带，中间为一能隙分隔，电子经激化进入导带而在价带中留下空穴，也起电荷载流子的作用。
高聚物半导体的电导率σ依赖于载流子的浓度n、电荷 q和迁移率μ，其关系为σ＝nqμ。电导率与温度有关，它服从阿伦尼乌斯关系，即：
σ＝σ0exp(－Ec/kT) 式中σ0为一常数；Ec为电导活化能；k为玻耳兹曼常数；T为绝对温度。因此其电导率随温度升高而增高;而导体则相反，电导率随温度升高而降低。
分类 长共轭体系 非成键电子或π键电子经激活后很易生成载流子，如它们是在一个共轭体系中非定域化的,就能形成一个高迁移率的内部传导通路,所以长共轭体系形成的是第一类半导体。如聚乙炔的导电性好，但极容易自动氧化生成-CH匉CH-CO-结构而使电导率显著降低。卤素掺杂可使聚乙炔薄膜的电导率发生十几个数量级的变化，使它从绝缘体经半导体变成导体，可做成n型和p型膜，以制成原电池或充电电池。
平面π电子体系 由于π键电子比σ键电子有较好的分子间轨道重叠，所以平面芳香性分子可以像卡片那样堆积, 其面间距不大于石墨的面间距 (0.335纳米)。在垂直于分子平面的方向也能形成电导通路， 所以平面π电子体系的堆积是第二类有机半导体或导体。例如聚丙烯腈在 250～600℃时通过热处理得到共轭体系结构(图2)，电导率可达10-2欧-1·厘米-1。乙烯基乙炔经正离子催化聚合得梯型聚合物，经 150～400℃热处理,得到电导率为10-5欧-1·厘米-1的共轭稠环聚合物(图3)。含酞菁结构的金属聚酞菁的电导率随螯合中心金属的不同而异。铜聚酞菁电阻率为5.3×103欧·厘米，而铁、锌、锡等聚酞菁的电阻率约为106欧·厘米,含二茂铁的高聚物在部分Fe(Ⅱ)被氧化为Fe(Ⅲ)后电导率可从10-14欧-1·厘米-1提高至10-6欧-1·厘米-1。 电化学法制得的BF嬄掺杂的杂环的聚吡咯－BF4以及用AsF5或碱金属掺杂的聚亚苯基、聚对亚苯基乙炔和聚苯硫醚都具有金属电导。
电荷转移络合物 在电子给体－受体相互作用时生成电荷转移络合物。通常，这类高聚物的电子给体是带在一个烯类聚合物（如聚乙烯吡啶、聚乙烯咔唑、聚乙烯基萘等）上的，电子受体是低分子化合物（如卤素、氰基化合物、硝基化合物等），所形成的高分子电荷转移络合物在可见光谱上有电荷转移吸收带，其电导率往往比其对应的单体电荷转移络合物为低,如聚乙烯咔唑-三硝基芴酮是很重要的光导材料。又如聚2-乙烯吡啶与碘的电荷转移络合物已被用于心脏起搏器中锂－碘原电池的阳极。
高聚物光电导体 物质吸收光后产生导电载流子的现象叫光电效应。光电导材料是指那些在光照时导电性增加的材料，也就是材料在黑暗中是绝缘的，受光激发后是导电的，例如聚N－乙烯咔唑已用于静电复印,其光导性是1957年由H.霍格耳发现的，它在可见光下为绝缘体，但经三硝基芴酮增敏后，发生电荷转移，使吸收迁移到可见光区而呈光电导，载流子沿着高分子链相邻的咔唑环进行跳跃传递。
高聚物超导体 70年代初M.M.拉贝斯等发现聚氮化硫晶体具有金属性;1975年R.L.格林等报道了它在0.26K出现超导性。它是第一个高聚物超导体,是抗磁性的金属晶体，属单斜晶系,分子是线型的（图4），其各向异性较大。
一般高聚物为绝缘体，这是由于其外层电子定域化所致。20世纪50年代末期，人们为了扩展高聚物的应用，用改变化学结构的方法来改变其电性能，如引入共轭双键或形成电荷转移络合物等使价电子非定域化，高聚物的电导率可发生十几至几十个数量级的变化，从而制成高聚物半导体、高聚物导体、高聚物超导体。
高聚物半导体的导电机理 为了说明导电现象, 对晶态高聚物通常采用能带模型；对非晶态高聚物用跳跃模型。按能带理论，在具有长程有序和原子密集的固体中，高聚物半导体同金属半导体一样，其能级形成导带和价带，中间为一能隙分隔，电子经激化进入导带而在价带中留下空穴，也起电荷载流子的作用。
高聚物半导体的电导率σ依赖于载流子的浓度n、电荷 q和迁移率μ，其关系为σ＝nqμ。电导率与温度有关，它服从阿伦尼乌斯关系，即：
σ＝σ0exp(－Ec/kT) 式中σ0为一常数；Ec为电导活化能；k为玻耳兹曼常数；T为绝对温度。因此其电导率随温度升高而增高;而导体则相反，电导率随温度升高而降低。
分类 长共轭体系 非成键电子或π键电子经激活后很易生成载流子，如它们是在一个共轭体系中非定域化的,就能形成一个高迁移率的内部传导通路,所以长共轭体系形成的是第一类半导体。如聚乙炔的导电性好，但极容易自动氧化生成-CH匉CH-CO-结构而使电导率显著降低。卤素掺杂可使聚乙炔薄膜的电导率发生十几个数量级的变化，使它从绝缘体经半导体变成导体，可做成n型和p型膜，以制成原电池或充电电池。
平面π电子体系 由于π键电子比σ键电子有较好的分子间轨道重叠，所以平面芳香性分子可以像卡片那样堆积, 其面间距不大于石墨的面间距 (0.335纳米)。在垂直于分子平面的方向也能形成电导通路， 所以平面π电子体系的堆积是第二类有机半导体或导体。例如聚丙烯腈在 250～600℃时通过热处理得到共轭体系结构(图2)，电导率可达10-2欧-1·厘米-1。乙烯基乙炔经正离子催化聚合得梯型聚合物，经 150～400℃热处理,得到电导率为10-5欧-1·厘米-1的共轭稠环聚合物(图3)。含酞菁结构的金属聚酞菁的电导率随螯合中心金属的不同而异。铜聚酞菁电阻率为5.3×103欧·厘米，而铁、锌、锡等聚酞菁的电阻率约为106欧·厘米,含二茂铁的高聚物在部分Fe(Ⅱ)被氧化为Fe(Ⅲ)后电导率可从10-14欧-1·厘米-1提高至10-6欧-1·厘米-1。 电化学法制得的BF嬄掺杂的杂环的聚吡咯－BF4以及用AsF5或碱金属掺杂的聚亚苯基、聚对亚苯基乙炔和聚苯硫醚都具有金属电导。
电荷转移络合物 在电子给体－受体相互作用时生成电荷转移络合物。通常，这类高聚物的电子给体是带在一个烯类聚合物（如聚乙烯吡啶、聚乙烯咔唑、聚乙烯基萘等）上的，电子受体是低分子化合物（如卤素、氰基化合物、硝基化合物等），所形成的高分子电荷转移络合物在可见光谱上有电荷转移吸收带，其电导率往往比其对应的单体电荷转移络合物为低,如聚乙烯咔唑-三硝基芴酮是很重要的光导材料。又如聚2-乙烯吡啶与碘的电荷转移络合物已被用于心脏起搏器中锂－碘原电池的阳极。
高聚物光电导体 物质吸收光后产生导电载流子的现象叫光电效应。光电导材料是指那些在光照时导电性增加的材料，也就是材料在黑暗中是绝缘的，受光激发后是导电的，例如聚N－乙烯咔唑已用于静电复印,其光导性是1957年由H.霍格耳发现的，它在可见光下为绝缘体，但经三硝基芴酮增敏后，发生电荷转移，使吸收迁移到可见光区而呈光电导，载流子沿着高分子链相邻的咔唑环进行跳跃传递。
高聚物超导体 70年代初M.M.拉贝斯等发现聚氮化硫晶体具有金属性;1975年R.L.格林等报道了它在0.26K出现超导性。它是第一个高聚物超导体,是抗磁性的金属晶体，属单斜晶系,分子是线型的（图4），其各向异性较大。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条