1) Enhanced green fluorescent protein
增强型绿色荧光蛋白
1.
Construction of expression vectors of enhanced green fluorescent protein gene and human extracellular 1-3domain of vascular endothelial growth factor(VEGF) receptor KDR gene;
增强型绿色荧光蛋白基因与人血管内皮生长因子受体KDR基因胞外1-3区域融合表达载体的构建
2.
Cell-penetrating peptide PEP-1 mediated transmembrane delivery of enhanced green fluorescent protein in vivo of mouse;
细胞穿透肽PEP-1介导增强型绿色荧光蛋白在小鼠体内跨膜转导
3.
Cell-penetrating Peptide PEP-1-mediated Transduction of Enhanced Green Fluorescent Protein into Human Aortic Smooth Muscle Cells;
PEP-1介导增强型绿色荧光蛋白转导入人主动脉平滑肌细胞
2) EGFP
增强型绿色荧光蛋白
1.
Transient expression of enhanced green fluorescent protein(EGFP) gene in Schistosoma japonicum;
增强型绿色荧光蛋白基因在日本血吸虫成虫体内的瞬时表达
2.
Breeding and EGFP Labeling of High Efficient Anthracene-Degrading Bacteria;
蒽高效降解菌的选育及其增强型绿色荧光蛋白标记
3.
Construction of the Retroviral Vector to Express hIL-2-EGFP Fusion Proteins;
融合表达人白细胞介素-2（hIL-2）和增强型绿色荧光蛋白（EGFP）的逆转录病毒载体的构建
3) Enhanced green fluorescent protein(EGFP)
增强型绿色荧光蛋白
1.
Objective Making the fusion protein of IgG-binding peptide with enhanced green fluorescent protein(EGFP) and determining its bioactivity.
目的构建、表达增强型绿色荧光蛋白(EGFP)与IgG抗体亲和肽融合蛋白,并对其生物学功能进行研究。
2.
Plasmid DNA was the enhanced green fluorescent protein(EGFP)vector.
以质粒DNA为增强型绿色荧光蛋白 (EGFP)的载体 ,对处于快速增殖期的 8株猪胚胎生殖 (EG)细胞 (4～ 9代 )进行转基因试验。
3.
The coding sequence of enhanced green fluorescent protein(EGFP)was cloned into the promoterless vector pLAFR6,generated the reporter plasmid pLZY.
将增强型绿色荧光蛋白基因编码序列克隆到不含启动子的载体pLAFR6上,构建报告质粒pLZY。
4) Enhanced green fluorescent protein (EGFP)
增强型绿色荧光蛋白
1.
Objective To construct a novel enhanced green fluorescent protein (EGFP) tagged insect-baculovirus transference system and prepare EGFP by Sf-9 cells.
目的构建可表达增强型绿色荧光蛋白(EGFP)融合蛋白的昆虫杆状病毒转移载体,利用Sf-9细胞表达、制备EGFP。
2.
Objective To construct a novel enhanced green fluorescent protein (EGFP) tagged Hela cell subline.
目的构建增强型绿色荧光蛋白(EGFP)标记的Hela细胞系。
5) enhanced green fluorescence protein
增强型绿色荧光蛋白
1.
AIM: To construct the fusion gene of Hsp65 of Mycobacterium tuberculosis H37Rv and enhanced green fluorescence protein (EGFP) and prepare dendritic cell (DC) vaccine.
目的: 构建结核杆菌H37Rv株Hsp65与增强型绿色荧光蛋白 (EGFP)的融合基因pEGHsp65, 并以其转染小鼠的树突状细胞 (DC), 制备抗结核的DC疫苗。
2.
4 kb fragment near the E4 region of QU virus genome was amplified by PCR to construct a plasmid pADGFP, in which ORF1, ORF8 and ORF9 was replaced with a system expressing enhanced green fluorescence protein.
4kb片段,插入来自pEGFP-C1质粒的增强型绿色荧光蛋白(EGFP)基因表达盒片段,构建了含EGFP基因的重组质粒pADGFP。
3.
In order to study the separation capacity of MCARM in the extraction of expressed proteins, we investigated the extraction properties of recombinant 6×His Enhanced green fluorescence protein (EGFP) by MCARM.
基于此,本研究室前人开发出了新型的金属螯合亲和反胶团(MCARM),为了验证此反胶团对实际表达蛋白的萃取分离能力,本文利用MCARM对基因工程表达产物6×his标记的增强型绿色荧光蛋白(EGFP)的萃取特性进行了系统的分析。
6) Enhanced green fluorescent protein C3
增强型绿色荧光蛋白C3
补充资料：增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路
耗尽型MOS晶体管用作负载管，增强型MOS晶体管用作驱动管组成反相器（图1），并以这种反相器作为基本单元而构成各种集成电路。这种集成电路简称E/D MOS。
特点 E/D MOS电路的速度快，电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下，充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中，作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源（栅与源相连,其电压uGS＝0）状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS～VDS曲线，沿纵轴翻转180o,取出其中uGS＝0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载（图2）。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路，可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5～1/8。此外，由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失，最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此，比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好，为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比，E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
结构与工艺 只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）。其中耗尽管的初始沟道，是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接，在生长多晶硅之前，需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面：引用氮化硅层实现选择性氧化，降低了场氧化层的台阶；②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子；③硅栅自对准：用多晶硅作栅，可多一层布线。结合自对准，可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路，已达到tpd≈4纳秒，功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门／毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路（见互补金属-氧化物-半导体集成电路）比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合，是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
特点 E/D MOS电路的速度快，电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下，充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中，作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源（栅与源相连,其电压uGS＝0）状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS～VDS曲线，沿纵轴翻转180o,取出其中uGS＝0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载（图2）。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路，可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5～1/8。此外，由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失，最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此，比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好，为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比，E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
结构与工艺 只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）。其中耗尽管的初始沟道，是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接，在生长多晶硅之前，需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面：引用氮化硅层实现选择性氧化，降低了场氧化层的台阶；②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子；③硅栅自对准：用多晶硅作栅，可多一层布线。结合自对准，可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路，已达到tpd≈4纳秒，功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门／毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路（见互补金属-氧化物-半导体集成电路）比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合，是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条