1) chemical state of sulfur
硫化学状态
2) chemical states
化学状态
1.
The chemical states of Ni and Al in the depth of samples heat_treated were analyzed using XPS with Ar + ionic in_situ etching.
对用射频磁控溅射法形成的单晶及多晶Al2 O3与Ni界面的化学状态进行研究 。
2.
The crystal structures,chemical states and electrical transport behavior of the samples were studied,and the DC conductivity of the Eu_(1-x)Sr_xCoO_(3-δ) at different temperatures has been tested.
研究了各样品的晶体结构、化学状态和电输运性能,测试了样品在不同温度下的直流电导率。
3) chemical state
化学状态
1.
In this study, the changes in reflection spectrum and lattice constant of Mn-Al 2O 3 pink pigment as a result of addition of Cr 2O 3 were observed by measuring the reflection spectrum f (R), lattice constant, electron spin resonance (ESR) and calculating the lattice constant, based on which the solid solubility and the chemical state of coloring ion Mn were deduced.
本实验选择Mn -Al2 O3色料 ,给其中加入Cr2 O3,通过测定反射光谱f(R)、晶格常数、电子自旋共振 (ESR) ,并计算晶格常数 ,分别得到加入Cr2 O3前后的Mn -Al2 O3的反射光谱与晶格常数的变化 ,依据该数据来推定着色离子Mn的固溶量及化学状态 。
2.
The chemical states of both the original surface of SiC particles and the interface of SiCP/Al composite made by powder metallurgy were investigated by means of XPS and AES.
本文采用Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）和俄歇能谱技术（ＡＥＳ）对原始ＳｉＣ颗粒表面和粉末冶金法制备的ＳｉＣＰ／Ａｌ复合材料界面的化学状态进行了研究。
3.
The results indicate that the concentration of P is less, the P atoms at grain boundaries are solid solution state and the influnce of Ce on the chemical state of P at grain boundaries is very small.
结果表明:当晶界P偏聚浓度较低,并以固溶态存在时,Ce对P的化学状态影响较小;当P的晶界浓度较高时,并以不同的化学状态存在时,Ce的影响较大,较多的Ce会改变P的化学状态。
4) chemical speciation
硫化学形态
1.
Research progress of sulfur chemical speciation impacted by acidophilic sulfur-oxidizing bacteria;
嗜酸硫氧化细菌作用下元素硫化学形态的研究进展
5) chemical state of silicon
Si化学状态
补充资料：应力状态和应变状态
构件在受力时将同时产生应力与应变。构件内的应力不仅与点的位置有关，而且与截面的方位有关，应力状态理论是研究指定点处的方位不同截面上的应力之间的关系。应变状态理论则研究指定点处的不同方向的应变之间的关系。应力状态理论是强度计算的基础，而应变状态理论是实验分析的基础。
应力状态 如果已经确定了一点的三个相互垂直面上的应力，则该点处的应力状态即完全确定。因此在表达一点处的应力状态时，为方便起见，常将"点"视为边长为无穷小的正六面体，即所谓单元体，并且认为其各面上的应力均匀分布，平行面上的应力相等。单元体在最复杂的应力状态下的一般表达式如图1，诸面上共有9个应力分量。可以证明,无论一点处的应力状态如何复杂，最终都可用剪应力为零的三对相互垂直面上的正应力，即主应力表示。当三个正应力均不为零时，称该点处于三向应力状态。若只有两对面上的主应力不等于零，则称为二向应力状态或平面应力状态。若只有一对面上的主应力不为零，则称为单向应力状态。
应力圆 是分析应力状态的图解法。在已知一点处相互垂直的待定截面上应力的情况下，通过应力圆可求得该点处其他截面上的应力。应力圆也称莫尔圆。图2b即为图2a所示平面应力状态下表示垂直于xx平面的面上之应力与x、x截面上已知应力间关系的应力圆。利用它可求得：①任意 α面上的应力；②"最大"和"最小"正应力；③"最大"和"最小"剪应力。由应力圆上代表"最大"和"最小"正应力的A、B点可知，这些正应力所在截面上的剪应力为零，因而"最大"和"最小"正应力也就是该点处的主应力。
应变圆 也称应变莫尔圆，是分析应变状态的图解法，其原理与应力圆类似，但应变圆的纵坐标为负剪应变的一半，横坐标为线应变 ε。在已知一点处的线应变εx、εy与剪应变γxy时，即可作出应变圆，从而求得该点处主应变 ε1与ε2的大小及其方向。在实验分析的测试中常用各种形状的应变花测量（见材料力学实验）一点处三个方向的应变，例如用"直角"应变花可测得一点处的线应变ε0°、ε45°、ε90°。根据一点处三个方向的线应变也可利用应变圆求得该点处的主应变ε1与ε2。
广义胡克定律 当按材料在线弹性范围内工作时，一点处的应力状态与应变状态之间的关系由广义胡克定律表达。对于各向同性材料,弹性模量E、剪切弹性模量G、泊松比v均与方向无关，且线应变只与正应力σ有关，剪应变只与剪应力τ有关。三向应力状态下，各向同性材料的广义胡克定律为
τxy＝Gγxy
τyz＝Gγyz
τzx＝Gγzx平面应力状态(σz＝0， τyz＝0， γzx＝0)下的广义胡克定律应用最为普遍
单向应力状态下的胡克定律则为σ＝Eε。
应力状态 如果已经确定了一点的三个相互垂直面上的应力，则该点处的应力状态即完全确定。因此在表达一点处的应力状态时，为方便起见，常将"点"视为边长为无穷小的正六面体，即所谓单元体，并且认为其各面上的应力均匀分布，平行面上的应力相等。单元体在最复杂的应力状态下的一般表达式如图1，诸面上共有9个应力分量。可以证明,无论一点处的应力状态如何复杂，最终都可用剪应力为零的三对相互垂直面上的正应力，即主应力表示。当三个正应力均不为零时，称该点处于三向应力状态。若只有两对面上的主应力不等于零，则称为二向应力状态或平面应力状态。若只有一对面上的主应力不为零，则称为单向应力状态。
应力圆 是分析应力状态的图解法。在已知一点处相互垂直的待定截面上应力的情况下，通过应力圆可求得该点处其他截面上的应力。应力圆也称莫尔圆。图2b即为图2a所示平面应力状态下表示垂直于xx平面的面上之应力与x、x截面上已知应力间关系的应力圆。利用它可求得：①任意 α面上的应力；②"最大"和"最小"正应力；③"最大"和"最小"剪应力。由应力圆上代表"最大"和"最小"正应力的A、B点可知，这些正应力所在截面上的剪应力为零，因而"最大"和"最小"正应力也就是该点处的主应力。
应变圆 也称应变莫尔圆，是分析应变状态的图解法，其原理与应力圆类似，但应变圆的纵坐标为负剪应变的一半，横坐标为线应变 ε。在已知一点处的线应变εx、εy与剪应变γxy时，即可作出应变圆，从而求得该点处主应变 ε1与ε2的大小及其方向。在实验分析的测试中常用各种形状的应变花测量（见材料力学实验）一点处三个方向的应变，例如用"直角"应变花可测得一点处的线应变ε0°、ε45°、ε90°。根据一点处三个方向的线应变也可利用应变圆求得该点处的主应变ε1与ε2。
广义胡克定律 当按材料在线弹性范围内工作时，一点处的应力状态与应变状态之间的关系由广义胡克定律表达。对于各向同性材料,弹性模量E、剪切弹性模量G、泊松比v均与方向无关，且线应变只与正应力σ有关，剪应变只与剪应力τ有关。三向应力状态下，各向同性材料的广义胡克定律为
τxy＝Gγxy
τyz＝Gγyz
τzx＝Gγzx平面应力状态(σz＝0， τyz＝0， γzx＝0)下的广义胡克定律应用最为普遍
单向应力状态下的胡克定律则为σ＝Eε。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条