1) gaseous ionic reaction
气相离子反应
2) arc plasma vapor phase reaction
等离子气相反应
3) ion molecule reaction
气相分子离子反应
4) Gas-phase ion-molecular reaction
气相离子分子反应
5) ion layer gas reaction
浸渍离子层气相反应
1.
Thin films of CuInS_2 were prepared on glass substrates by ion layer gas reaction method using CH_3CN as solvent, CuCl_2 and InCl_3 as reactants and H_2S as sulfur source.
以CH3CN为溶剂,CuCl2和InCl3为反应物,H2S为硫源,用浸渍离子层气相反应法制备CuInS2薄膜。
6) ILGAR
离子层气相反应法
1.
Studies on Chalcogenide Semiconductor Thin Films Prepared by Ion Layer Gas Reaction Method (ILGAR);
离子层气相反应法（ILGAR）制备硫属半导体薄膜的研究
补充资料：二不相离──身土二不相离
【二不相离──身土二不相离】
﹝出宗镜录﹞
二不相离者，谓身土二法，皆不离法性也。
［一、法性属佛为法性身］，谓佛了悟真如法性，复以法性为身，故名法性属佛为法性身。
［二、法性属法为法性土］，谓真如法性之理，譬如虚空，遍一切处，乃是法身所证之体，即为所依之土，故名法性属法，为法性土。
﹝出宗镜录﹞
二不相离者，谓身土二法，皆不离法性也。
［一、法性属佛为法性身］，谓佛了悟真如法性，复以法性为身，故名法性属佛为法性身。
［二、法性属法为法性土］，谓真如法性之理，譬如虚空，遍一切处，乃是法身所证之体，即为所依之土，故名法性属法，为法性土。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条