1) residual oxygen
残余氧
1.
The crystallization of the top Si layer in SIMOX,especia ll y the behavior of residual oxygen in the top Si layer,is investigated by means o f PL and SIMS,with the sample of P type(100) Si.
谱峰 b起源于SIMOX材料顶层硅膜中残余氧 ,起施主作用 。
2) residual carbon and oxygen
残余碳氧
1.
The residual carbon and oxygen content were 0.
0℃/min、最高脱脂温度600℃、保温时间为1h和真空脱脂气氛条件下脱除坯体中剩余粘结剂,坯体中残余碳氧含量分别0。
3) total residue
总残余氧
4) residue[O]content
残余氧量
5) Remains oxygen level(ROL)
残余氧含量
6) residual oxygen
残余溶解氧
补充资料：2-[2-[2-(2-苯氧乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙醇
CAS：36366-93-5
分子式：C14H22O5
中文名称：2-[2-[2-(2-苯氧乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙醇
英文名称：Ethanol,2-[2-[2-(2-phenoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]
2-(2-(2-(2-phenoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)-ethanol
tetraethylene glycol monophenyl ether
分子式：C14H22O5
中文名称：2-[2-[2-(2-苯氧乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙醇
英文名称：Ethanol,2-[2-[2-(2-phenoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]
2-(2-(2-(2-phenoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)-ethanol
tetraethylene glycol monophenyl ether
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条