2) PZN-PT-BT
PZN-PT-BT陶瓷
1.
Stoichiometric Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-BaTiO3(PZN-PT-BT) perovskite ceramics prepared by modified processing route were investigated.
采用改进的工艺路线制备了化学计量比的Pb(Zn1／3Nb2/3)O3-PbTiO3-BaTiO3陶瓷,二氧化钛和碳酸钡不经过预烧,与预反应粉体混合球磨,成型后直接烧结,在1100℃和1120℃分别保温1 h,2 h,4 h获得了100％钙钛矿结构的PZN-PT-BT陶瓷,最大密度7。
3) PMN-PZN-ZPT piezoelectric ceramic
PMN-PZN-PZT压电陶瓷
4) PZN-PZT piezoelectric ceramics
PZN-PZT压电陶瓷
5) PZN based ceramics
PZN基陶瓷
1.
The effect of Nb 5+ deficiency on the phase structure, ordered micro region size and dielectric properties of La 3+ doped PZN based ceramics was investigated in detail.
研究了铌欠缺对掺镧 PZN基陶瓷相结构、有序微区以及介电性能的影响。
6) PZN-based ceramics
PZN基陶瓷
1.
The three series of PZN-based ceramics 0.
随着铅欠缺量的增加,PZN基陶瓷的介电常数大幅度地增加,但是铅欠缺对介电损耗影响很小。
2.
The effect of PbO deficiency in starting raw powders on the phase structure , ordered micro-regions, dielectric and electrostrictive properties of PZN-based ceramics was investigated.
研究了初始粉体中氧化铅欠缺对PZN基陶瓷的相组成、有序微区、介电和电致应变性能的影响。
补充资料：反铁电陶瓷
分子式：
CAS号：
性质：主晶相为反铁电体的陶瓷材料，常见的反铁电体为锆酸铅(PbZrO3)或以其为基的固溶体。具有高的相变场强、储能密度和较低的介电常数，低的介质损耗。如Pb0.97La0.02[(Zr59Till)0.7Sn0.3]O3反铁电陶瓷相变场强为34kV/cm(25℃)，介电常数峰值2020，居里温度181℃。采用一般电子陶瓷工艺制造。由于其中含铅量较高，常用刚玉坩埚加盖密封烧成，以防止氧化铅高温挥发，烧成温度：1340℃左右。用这类材料制成的抗辐射储能电容器的储能密度可达0.3J/cm3以上，制作时常在瓷片电极附近的绝缘边上涂敷半导釉，可有效地防止绝缘边击穿，提高工作电压。还可用于制作高压电容器、高介电容器，以及换能器(实现电能与机械能转换)等。
CAS号：
性质：主晶相为反铁电体的陶瓷材料，常见的反铁电体为锆酸铅(PbZrO3)或以其为基的固溶体。具有高的相变场强、储能密度和较低的介电常数，低的介质损耗。如Pb0.97La0.02[(Zr59Till)0.7Sn0.3]O3反铁电陶瓷相变场强为34kV/cm(25℃)，介电常数峰值2020，居里温度181℃。采用一般电子陶瓷工艺制造。由于其中含铅量较高，常用刚玉坩埚加盖密封烧成，以防止氧化铅高温挥发，烧成温度：1340℃左右。用这类材料制成的抗辐射储能电容器的储能密度可达0.3J/cm3以上，制作时常在瓷片电极附近的绝缘边上涂敷半导釉，可有效地防止绝缘边击穿，提高工作电压。还可用于制作高压电容器、高介电容器，以及换能器(实现电能与机械能转换)等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条