1) nonlinear optics/degenerate four wave mixing (DFWM)
非线性光学/简并四波混频(DFWM)
2) Degenerate Four Wave Mixing(DFWM)
简并四波混频(DFWM)
3) degenerate four-wavemixing (DFWM)
四波混频(DFWM)
4) Nondegenerate four-wave mixing
非简并四波混频
1.
8 nm as another pump beam, the nondegenerate four-wave mixing(NFMW) was realized in the Cr: KNSBN.
8nm的He-Ne激光对Cr:KNSBN光折变晶体的非简并四波混频特性进行了实验研究。
5) degenerate four wave mixing
简并四波混频
1.
The third order nonlinear optical property of PMOCOPV was studied by degenerate four wave mixing(DFWM).
采用简并四波混频 (DFWM )方法研究了PMOCOPV的三阶非线性光学性质。
2.
Bacause of the optical coupling special property of LiNbO 3 ∶Fe crystal, the double exposure interferometric method is put forward with the aid of degenerate four wave mixing phase conjugation.
利用LiNbO3 ∶Fe晶体的光响应时间特性 ,提出了简并四波混频相位共轭进行实时两次曝光干涉测量的方法 。
3.
By using degenerate four wave mixing, the third order nonlinear optical properties of nc Si∶H thin films were investigated.
用简并四波混频技术 (DFWM)研究了nc Si∶H薄膜的三阶非线性光学性质 ,观察到了这种纳米薄膜材料的位相共轭信号 ,测得晶态比为XC1 =15 %和XC2 =30 % 的二个样品在光波波长为 5 89nm处的三阶非线性极化率分别为 χ1(3 ) =3 8× 10 - 6 esu和 χ2(3 ) =4 3× 10 - 7esu ,并对其光学非线性产生机理作了探
6) DFWM
简并四波混频
1.
Experimental study of DFWM based on a novel beam-split technique;
基于新型分光技术的简并四波混频实验研究
2.
STUDY ON THE TIME RESOLUTION CURVE OF ULTRASHORT PULSE DFWM;
超短脉冲简并四波混频时间分辨研究
3.
Third-order optical nonlinearities of salts of planar complex cations and planar complex anions were studied by DFWM at 1.
采用简并四波混频方法对平面型络合物阳离子和平面型络合物阴离子所成盐的溶液的三阶光学非线性在1。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条