1) crystal growth boundary layer
晶体生长边界层
2) Real time meassurement
生长固/液边界层
4) graded-junction transistor,rate-grow transistor
生长层晶体管
5) contour growing
边界生长
1.
A new method for the automatic calculation of the low contrast laser spot center base on contour growing.
提出一种基于边界生长的自动化低对比度激光光斑中心的定位新方法。
6) crystal layer growth
晶层生长
1.
Combining the unstable heat conduction in crystal layer with heat transfer of undeveloped slug flow in a vertical tube, a time-progression model of crystal layer growth in the bubble column crystallizer pipe is proposed, the calculation results from the numerical method agree well with the experimental data.
结合未充分发展弹状流的传递特征和晶层内不稳定导热 ,提出了鼓泡塔结晶器管内晶层生长的时间级联模型 ,与实验值吻合良好 。
补充资料：晶体生长界面处的溶质边界层
晶体生长界面处的溶质边界层
solute boundary layer at the crystal growth interface
晶体生长界面处的溶质边界层solute boundarylayer at the er邓tal盯owth interfaee生长界面前沿流体中溶质分布不均匀的一薄流体层。它与晶体生长过程的溶质分凝和流体中的溶质传输有关。 晶体在掺有溶质的流体相中生长，若溶质的平衡分凝系数k。<1(图a)，于是在生长过程中，溶质被不断地排出，若排出的溶质不能及时传输到大块流体中，使溶质均匀分布，则在生长界面附近的熔体中形成溶质富集、浓度变化的溶质边界层。对于k。>l的溶质，则如图b，它将形成溶质贫化的溶质边界层。图中S表示晶体，L表示溶体，边界在0点，炙为边界层厚度，c为溶质浓度。浴质边界层 流体中溶质传输存在两种机制:①由溶质浓度梯度引起的扩散传输;②由温度梯度引起的自然对流及晶体或柑涡旋转产生搅拌作用所引起的强迫对流的对流传输。精确求解运动流体对浓度场的影响是困难的。引入边界层近似，可以把问题简化。假使在溶质浓度边界层氏内，扩散是溶质传输的唯一机制，在边界层之外，溶质传输机制是对流，由于对流的搅拌作用，%26以外的大块流体中溶质分布是均匀的。根据以上边界层近似，对流传输对溶质浓度场的影响，归结为边界层宽度灸的变化。 利用边界层近似，通过数值计算满足边值条件的溶质传输方程，得到昆的表达式 炙=1 .6。‘，6Dll3田一22式中p为溶液的运动粘滞系数;刀为溶质扩散系数，是溶液系统的物质常数;。是晶体旋转角速度，它愈大，强迫对流的搅拌作用就愈强，溶质边界层厚度就愈薄。(洪静芬)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条