1) LiNbO_3 crystal
LiNbO_3晶体
1.
Zn:Fe:LiNbO_3, Ce:Cu:LiNbO_3 and Mg:Mn:Fe:LiNbO_3 crystals were grown by Czochralski method.
其中对Zn:Fe:LiNbO_3晶体,研究了不同的掺Zn~(2+)浓度对晶体光折变性能的影响;同时对Ce:Cu:LiNbO_3和Mg:Mn:Fe:LiNbO_3晶体切割后,分别进行了氧化还原处理,研究了不同的处理方式对晶体光折变性能的影响。
3) iron doped LiNbO 3crystal
掺铁LiNbO_3晶体
4) Doped-LiNbO_3 crystal
掺杂LiNbO_3晶体
5) doubly doped LiNbO 3 crystals
双掺杂LiNbO_3晶体
6) periodically poled lithium niobate
周期极化LiNbO_3晶体
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条