1) elec-trical resistivity measurement
电阻法测量
2) resistance strain gauge method
电阻应变测量法
1.
The finite-element method was adopted to determine the position and direction of the principal stress of stands,and the resistance strain gauge method was used to determine dynamic principal stress of stands.
为分析板带热连轧机组机架强度,给轧机改造提供技术依据,采用了有限元方法来确定机架最大主应力部位与主应力方向,并采用电阻应变测量法对选定最大主应力的部位进行实际轧制过程中动态应力的测定,两者分析结果基本吻合,机架强度基本符合要求。
2.
Stress coating is adopted in order to determine the points and directions of the most main stress of the frame,resistance strain gauge method used for determining main stress value of the frame.
在模型实验应力分析中采用脆性涂料法确定模型机架最大主应力部位和主应力方向，采用电阻应变测量法确定模型机架的主应力水平。
3) Four long-base method measure of resistance
四线法电阻测量
4) hot wire survey
热敏电阻测量法
5) dermatometry
[,də:mə'tɔmitri]
皮肤电阻测量法
6) resistance measurement
电阻测量
1.
A method of resistance measurement based on negative feedback is proposed in this paper.
提出一种反馈分压式电阻测量方法 ,给出了两种改进方案 ,分析了它们的测量误差 ,指出了减小误差的途径和方
2.
The design of hardware/software of a resistance measurement instrument Consisting of AT89C2051 MPU and TLC1549 10 bit serial A/D chip is described.
介绍一种由ＡＴ８９Ｃ２０５１单片机和ＴＬＣ１５４９１０位串行Ａ／Ｄ芯片构成的电阻测量仪表的硬件与软件设计。
3.
This paper gives a new method of resistance measurement.
本文在伏安法测电阻的基础上 ,提出了一种新的电阻测量方法 ,通过引入一个已知电阻 ,采用组合方法求出较为准确的待测电阻
补充资料：薄层电阻测量技术
薄层电阻是指一块正方形薄层沿其对边平面方向的电阻,单位为Ω／□（图1）。若正方形薄层的边长为l，厚度为xj，截面积为A,平均电阻率为，薄层电阻Rs为
由上式可知，薄层电阻只与薄层材料的平均电阻率及其厚度有关，与方块的边长无关。
经常通过外延生长、杂质扩散工艺或离子注入掺杂工艺在单晶衬底上形成一层异型薄层(如在N型衬底上形成P型层或在P型衬底上形成N型层)，或通过真空蒸发工艺、溅射工艺在绝缘材料上覆盖一层金属薄膜。这些结构的薄层电阻值在半导体器件和集成电路生产中都是需要受到精确控制的重要工艺参数。半导体薄层电阻的大小取决于薄层中掺入杂质的情况。当杂质分布形式确定后，通过测量薄层电阻就能推算出表面杂质浓度。
在半导体工艺中，广泛使用四探针法测量薄层电阻（图2）。四个针尖排在一直线上，测量时电流由外侧两根探针流经薄层（因薄层与衬底的掺杂型号相异，电流基本上不通过衬底），并用两根内侧探针测量电压。探针的间距相等,均为s。当薄层厚度xj<时，可算出
式中U为电压值（伏）；I为电流值（安;）C为修正系数，当样品的尺寸远大于s时，C =4.532。
在硅平面工艺中，往往通过一些专门设计的测试图形来检测薄层电阻。这些图形形成在芯片边缘，或者专门的测试片上（与其他参数的测试图形一起），它们和集成电路芯片同时经历各项工艺步骤。通过这样一些测试图形测得的薄层电阻，更加准确地反映器件和电路中的实际情况。若在大圆硅片上作成布满测试图形的阵列，还可得到整个圆片上薄层电阻值分布的均匀性。
图3为矩形条的薄层电阻测试图形。有阴影线的方块处为金属化的欧姆接触。电流I由外侧的两处接触通过条状薄层,中间的两处接触用于测量电压U。矩形条的宽度W以及产生电压降U 的一段长度L均可测量。根据薄层电阻的定义，可得
条状测试结构与单块集成电路中的电阻器的情况相似。
正方形范德堡测试结构中（图4），正中是需要测量的正方形薄层。测量时，从任一边的两个欧姆接触点通入电流I,从对边的两个欧姆接触点测量电压U。由于图形的高度对称,若在此局部范围内薄层电阻的平面分布均匀，则薄层电阻值Rs为
通过对换电压和电流测试点，并用测得的数据求出平均值就能消除因图形不对称所引起的误差。
由上式可知，薄层电阻只与薄层材料的平均电阻率及其厚度有关，与方块的边长无关。
经常通过外延生长、杂质扩散工艺或离子注入掺杂工艺在单晶衬底上形成一层异型薄层(如在N型衬底上形成P型层或在P型衬底上形成N型层)，或通过真空蒸发工艺、溅射工艺在绝缘材料上覆盖一层金属薄膜。这些结构的薄层电阻值在半导体器件和集成电路生产中都是需要受到精确控制的重要工艺参数。半导体薄层电阻的大小取决于薄层中掺入杂质的情况。当杂质分布形式确定后，通过测量薄层电阻就能推算出表面杂质浓度。
在半导体工艺中，广泛使用四探针法测量薄层电阻（图2）。四个针尖排在一直线上，测量时电流由外侧两根探针流经薄层（因薄层与衬底的掺杂型号相异，电流基本上不通过衬底），并用两根内侧探针测量电压。探针的间距相等,均为s。当薄层厚度xj<
式中U为电压值（伏）；I为电流值（安;）C为修正系数，当样品的尺寸远大于s时，C =4.532。
在硅平面工艺中，往往通过一些专门设计的测试图形来检测薄层电阻。这些图形形成在芯片边缘，或者专门的测试片上（与其他参数的测试图形一起），它们和集成电路芯片同时经历各项工艺步骤。通过这样一些测试图形测得的薄层电阻，更加准确地反映器件和电路中的实际情况。若在大圆硅片上作成布满测试图形的阵列，还可得到整个圆片上薄层电阻值分布的均匀性。
图3为矩形条的薄层电阻测试图形。有阴影线的方块处为金属化的欧姆接触。电流I由外侧的两处接触通过条状薄层,中间的两处接触用于测量电压U。矩形条的宽度W以及产生电压降U 的一段长度L均可测量。根据薄层电阻的定义，可得
条状测试结构与单块集成电路中的电阻器的情况相似。
正方形范德堡测试结构中（图4），正中是需要测量的正方形薄层。测量时，从任一边的两个欧姆接触点通入电流I,从对边的两个欧姆接触点测量电压U。由于图形的高度对称,若在此局部范围内薄层电阻的平面分布均匀，则薄层电阻值Rs为
通过对换电压和电流测试点，并用测得的数据求出平均值就能消除因图形不对称所引起的误差。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条