1) Element localized enrichment
元素局域富集
1.
Element localized enrichment on Cu-12at.%Au alloy surface induced by ion sputtering;
离子溅射诱发单相合金Cu—12at．％Au表面“元素局域富集”
3) enriched element
富集元素
5) segregation of Si element
Si元素富集
1.
The mechanical properties of composite are affected by interfacial reactions and segregation of Si element.
研究了二者之间的关系,指出:复合材料的机械性能受界面反应及界面处Si元素的富集两种作用综合的影响;界面反应的影响较大,是决定复合材料机械性能的主导因素,而Si元素富集则居次要地位,不起主导作用。
补充资料：超导电性的局域和非局域理论（localizedandnon-localizedtheoriesofsuperconductivity）
超导电性的局域和非局域理论（localizedandnon-localizedtheoriesofsuperconductivity）
伦敦第二个方程（见“伦敦规范”）表明，在伦敦理论中实际上假定了js(r)是正比于同一位置r的矢势A(r)，而与其他位置的A无牵连；换言之，局域的A(r)可确定该局域的js(r)，反之亦然，即理论具有局域性，所以伦敦理论是一种超导电性的局域理论。若r周围r'位置的A(r')与j(r)有牵连而影响j(r)的改变，则A(r)就为非局域性质的。由于`\nabla\timesbb{A}=\mu_0bb{H}`，所以也可以说磁场强度H是非局域性的。为此，超导电性需由非局域性理论来描绘，称超导电性的非局域理论。皮帕德非局域理论就是典型的超导电性非局域唯象理论。
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参考词条