1) Ti/AlN interface
Ti/AlN界面
1.
The depth profile analyses of the samples were conducted by secondare ion mass spectrometry(SIMS), and the effects of the annealing temperature and time on the composition distribution at Ti/AlN interfaces were investigated.
利用二次离子质谱（SIMS）对样品进行了深度剖析，给出了Ti／AlN界面组分分布随退火温度和时间的变化关系。
2) Ti/Al 2O 3 interfacial reaction
Ti/Al2O3界面反应
3) AlN(110)
AlN(110)表面
4) aluminum nitride
AlN
1.
The wax based polymer binder in injection molding of aluminum nitride;
注射成形AlN高导热陶瓷蜡基粘结剂
2.
In the present work,the thermal conductivity of alumina was improved by adding aluminum nitride with high thermal conductivity.
本文选用导热系数较高的AlN来改善Al2O3陶瓷的导热性能;并借助SEM和XRD对材料的微观结构和物相进行了分析。
3.
The precipitation of aluminum nitride in low carbon aluminum-killed steels produced by TSCR is studied by means of heat treatment and chemical phase analysis.
利用热处理和化学相分析对薄板坯连铸连轧低碳铝镇静钢中AlN的沉淀析出行为进行了试验研究。
6) TI hourglass worm
TI-环面蜗杆
补充资料：aluminium nitride material AlN
分子式：
CAS号：
性质： 该材料有陶瓷型和薄膜型两种。氮化铝热导率高、绝缘性能好，电阻率高达4×106Ω·cm。热膨胀系数小(2.65～3.80)×10-6K-1，化学性能稳定，在1000℃时才与空气发生氧化。在真空中可稳定到1500℃。致密型氮化铝是抗水的，几乎不与浓无机酸发生反应。密度为3.26g/cm3，熔点2400℃，弹性模量为300～310GPa，抗弯强度为280～350MPa，莫氏硬度为8。A1N陶瓷用粉末冶金法制得。氮化铝薄膜用反应溅射法制得。A1N陶瓷片用于大功率半导体集成电路和大功率的厚膜电路，A1N薄膜用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的材料表面镀层。
CAS号：
性质： 该材料有陶瓷型和薄膜型两种。氮化铝热导率高、绝缘性能好，电阻率高达4×106Ω·cm。热膨胀系数小(2.65～3.80)×10-6K-1，化学性能稳定，在1000℃时才与空气发生氧化。在真空中可稳定到1500℃。致密型氮化铝是抗水的，几乎不与浓无机酸发生反应。密度为3.26g/cm3，熔点2400℃，弹性模量为300～310GPa，抗弯强度为280～350MPa，莫氏硬度为8。A1N陶瓷用粉末冶金法制得。氮化铝薄膜用反应溅射法制得。A1N陶瓷片用于大功率半导体集成电路和大功率的厚膜电路，A1N薄膜用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的材料表面镀层。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条