1) dicalcium silicate
2CaO·SiO_2
2) dicalcium silicate(2CaO·SiO_2)
硅酸二钙(2CaO·SiO_2)
3) I~2C
I~2C
1.
The Logic Analysis of I~2C Bus Interface;
I~2C总线接口逻辑分析
2.
I~2C bus technology of Lonworks neuron chip;
LonWorks神经元芯片的I~2C总线技术
3.
Fast Mode I~2C Bus Receiver Design;
一种I~2C总线快速收发器设计
4) I2C
I~2C
1.
The simulating application of I2C -BUS by 80C51;
用单片机80C51实现I~2C虚拟总线
2.
The Realization of I2C Interface Based on Cycle Accurate;
采用周期精确的方法实现一个I~2C接口
5) I2C bus
I~2C总线
1.
Research and implementation of I2C bus based on Linux;
基于Linux的I~2C总线驱动研究与实现
2.
Introduced the principle of the I2C bus and the principle of the fiber optic grating heat detectors system, on the basis of the designing method of the hardware and software between the processor AT89c52 and 24c01A.
介绍了I~2C总线的基本工作原理以及光纤光栅感温火灾探测系统的工作原理,在通过对单片机AT89C52与24C01A之间接口的软硬件设计的基础上,着重分析了I2C总线在光纤光栅感温火灾探测系统中的应
3.
In this paper ,the author introduces the basic work principles and applications for the receiver of color TV, and shows the method of mending I2C bus control circuit of the receiver of color TV.
介绍了彩色电视接收机中I~2C总线的基本工作原理及应用,提出检修彩色电视接收机中I~2C总线控制电路的方法。
6) I~2C bus
I~2C总线
1.
Implementation of I~2C Bus in Embedded System;
I~2C总线在嵌入式系统中的应用
2.
The Research for I~2C bus Communication by USI;
USI实现I~2C总线通信的研究
3.
A measurement and control system for pressure based on I~2C bus;
基于I~2C总线的压力测控系统
参考词条
I~2C接口
I~2C 总线
2C基因
A~2C氧化沟
5-HT_(2C)受体
I~2C协议
I~2C中断
龙芯2C
Ulster 2c株
5-羟色胺2C
Pt(PPh_)_2-η~2C_(60)
5-HT_(2C)抑制剂
酸性淡黄2C
I~2C总线通信
岩石圈构造
破额山
补充资料:CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式:
CAS号:
性质:在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存,性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅,加入少量改性添加剂,经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品,也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙,用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等,以确保两晶相共存。主要介电性能为:介电常数80~110,介质损耗角正切值(0.8~2.5)×10-4,介电常数温度系数(-450~+550)×10-6/℃。抗电温度(45~55)kV/mm,电阻率(1011~1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号:
性质:在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存,性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅,加入少量改性添加剂,经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品,也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙,用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等,以确保两晶相共存。主要介电性能为:介电常数80~110,介质损耗角正切值(0.8~2.5)×10-4,介电常数温度系数(-450~+550)×10-6/℃。抗电温度(45~55)kV/mm,电阻率(1011~1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。