2) static breakdown condition
静态击穿条件
3) Component breakdown
元件击穿
5) bulk breakdown devices
体击穿器件
1.
The method is that the bulk breakdown devices are made via devices so as to make the breakdown equably occurs in interior of devices for achieving the bulk breakdown voltage matches with the termination breakdown voltage, thereby th.
提出了一种优化设计阻断能力的新方法 ,通过将器件作成体击穿器件 ,使其终端击穿电压与体内击穿电压之间达成匹配 ,从而可提高器件阻断能力的稳定性和可靠性 ,并降低器件的通态损耗及成本。
6) firing factors
射击条件
1.
The accuracy of artillery firing is affected by firing factors.
炮兵射击精度受到射击条件(弹道条件和气象条件)的影响,目前这些条件如气温、气压、药温、风速、风向等都是通过手工测试得到,并用手工作业的方法来计算。
补充资料：pn结击穿（electricalbreakdownofp-njunction）
pn结击穿（electricalbreakdownofp-njunction）
对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为pn结击穿。发生击穿时的反向电压称为pn结的击穿电压。
击穿电压与半导体材料的性质、杂质浓度及工艺过程等因素有关。pn结的击穿从机理上可分为雪崩击穿、隧道击穿和热电击穿三类。前两者一般不是破坏性的，如果立即降低反向电压，pn结的性能可以恢复；如果不立即降低电压，pn结就遭到破坏。pn结上施加反向电压时，如没有良好散热条件，将使结的温度上升，反向电流进一步增大，如此反复循环，最后使pn结发生击穿。由于热不稳定性引起的击穿，称为热电击穿，此类击穿是永久破坏性的。pn结击穿是pn结的一个重要电学性质，击穿电压限制了pn结的工作电压，所以半导体器件对击穿电压都有一定的要求。但利用击穿现象可制造稳压二极管、雪崩二极管和隧道二极管等多种器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条