1) Grain Boundary Mobility
晶界迁移率
2) grain boundary migration
晶界迁移
1.
The results showed that a compressive strain parallel to the grain boundary enhanced the grain boundary migration,which is driven by the interaction between neighboring grain boundaries.
结果表明:平行于晶界方向的压应变可以促进晶界在相邻晶界交互作用下发生迁移;垂直于晶界方向的压应变则不能对晶界迁移产生明显的效果。
2.
The fine phase of Mg_(12)Ce can apparently elevate recrystallization temperature by means of preventing the grain boundary migration,and improve the room and elevate temperature properties.
对Mg-Ce-Zn-Zr合金的显微组织进行了观察研究,通过XRD分析、光学显微(OM)分析、扫描电子显微镜(SEM)分析表明:Mg12Ce及Mg17Ce2相铸态时主要存在于晶界,存在于晶界的稀士相Mg12Ce能显著提高合金的再结晶温度,阻碍晶界迁移。
3.
The grain boundary migration during recrystallization in IC 218 alloy was studied by means of TEM and ODF.
采用 TEM和 ODF(取向分布函数 )等手段对 IC- 2 18合金再结晶过程中的晶界迁移行为进行了研究 ,发现小角晶界的活动相当活跃 ,而一般大角晶界失去了明显可动性。
3) migration energy for grain boundary
晶界迁移能
1.
In the model,three parameters,such as migration energy for grain boundary,recrystallization grain size and dislocation density,are included.
采用位错理论推导出了一个具有晶界迁移能、再结晶平均晶粒尺寸以及位错密度等材料物理参数再结晶动力学模型。
4) grain boundary migration
晶界迁移<冶>
5) mobility edge
迁移率边界
1.
When Q =2π4,we analyses theoretically the exist conditions of extended state and localiged state and find analytically the values of mobility edges.
研究了处在一维渐近周期势ｖｎ＝ｖｃｏｓ（Ｑｎ＋ａｎｖ）（０＜λ＜１）中运动的电子态的特性，从理论上分析了Ｑ＝２π／４时，扩展态和局域态存在的条件，解析地得到了迁移率边界的值。
6) directional grain boundary migration
晶界定向迁移
补充资料：电子迁移率检测器
分子式：
CAS号：
性质：β粒子与载气氩分子间的碰撞是弹性的，而与试样分子间的碰撞则是非弹性的，即总伴有能量损失。适当选择脉冲持续时间，使快电子能够完全到达正极，而慢电子则不能到达。当试样进入后，快电子所产生的电流就会改变，从而输出信号。
CAS号：
性质：β粒子与载气氩分子间的碰撞是弹性的，而与试样分子间的碰撞则是非弹性的，即总伴有能量损失。适当选择脉冲持续时间，使快电子能够完全到达正极，而慢电子则不能到达。当试样进入后，快电子所产生的电流就会改变，从而输出信号。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条