1) Semiconducting BaTiO_3 Ceramics Doped withYttrium
掺钇半导BaTiO_3陶瓷
2) BaTiO_3 semiconducting ceramics
BaTiO_3半导陶瓷
1.
The art of manufacture and movement of Curie temperature of BaTiO_3 semiconducting ceramics;
BaTiO_3半导陶瓷的制备工艺和居里温度移动
3) Semiconductor BaTiO3 ceramics Piezoresistivity Stress-sensord
半导体BaTiO_3陶瓷
4) BaTiO_3-based semiconducting ceramics
BaTiO_3系半导体陶瓷
补充资料：掺钕钒酸钇激光晶体
分子式：Nd:YVO3
CAS号：
性质：四方晶系锆英石结构单晶体。空间群D4h19-I4/amd。密度4.23g/cm3。莫氏硬度5.0。熔点1635～1730℃。热膨胀系数7.3×10-6/℃(⊥c)。热导率5.1W/(m·K)(⊥c)。折射率n0=1.86，ne=1.88。荧光寿命98μs。F2/3-4I11/2。跃迁波长1.064μm。晶体激光阈值低，效率高，受激发截面大(为20×10-19cm2)，吸收线宽。采用提拉法、浮区区熔等法制备。用于制作LD泵浦。
CAS号：
性质：四方晶系锆英石结构单晶体。空间群D4h19-I4/amd。密度4.23g/cm3。莫氏硬度5.0。熔点1635～1730℃。热膨胀系数7.3×10-6/℃(⊥c)。热导率5.1W/(m·K)(⊥c)。折射率n0=1.86，ne=1.88。荧光寿命98μs。F2/3-4I11/2。跃迁波长1.064μm。晶体激光阈值低，效率高，受激发截面大(为20×10-19cm2)，吸收线宽。采用提拉法、浮区区熔等法制备。用于制作LD泵浦。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条