1) TiO_2/Zr_xTi_(1-x)O_2
TiO2/ZrxTi1-xO2
1.
In this paper, we report a new approach to prepare TiO_2/Zr_xTi_(1-x)O_2 heterostructures photocatalytic films by sol-gel method for the first time.
首次报道了采用溶胶 凝胶工艺制备TiO2/ZrxTi1-xO2异质结构光催化薄膜的新方法。
2) LiCo_(x)Ni_(1-x)O_(2
LiCoxNi1-xO2
3) LiNi_xCo_ 1-x O_2
LiNixCo1-xO2
1.
The LiNi_xCo_ 1-x O_2 powder was synthesized by sintering spherical Ni(OH)_2, LiNO_3 and CoO in air at 800 ℃ for 8 h.
采用球形Ni(OH) 2 和LiNO3、CoO为原料 ,空气气氛条件下 80 0℃恒温 8h,合成了锂离子电池正极材料LiNixCo1-xO2 。
4) Ba(Zr_xTi_(1-x))O_3
Ba(ZrxTi1-x)O3
5) layered LiNixMn1-xO2
层状LiNixMn1-xO2
6) mesoporous CexZr1-xO2
介孔CexZr1-xO2
1.
The mesoporous CexZr1-xO2 oxide was successfully synthesized by polyol method.
采用多元醇法合成了介孔CexZr1-xO2(x=0。
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条