1) charge state
电荷态
1.
The γ irradiation made defects' charge state changed or induced some new defects, but most of them have been annealed in room temperature.
在室温下测量了样品辐照前后的正电子寿命,发现随着辐照剂量的增加,正电子平均寿命基本不变或呈减小趋势,一方面是由于γ辐照使晶体内原子发生电离,导致晶体内空位型缺陷的电荷态发生变化,缺陷的负电性增加。
2.
With a special septum magnet,the surplus charge state beams of HIRFL will be splitted from the main beam line between SFC and SSC.
在此设计中，ＨＩＲＦＬ剥离器后被废弃的多余电荷态束流被一特殊的切割磁铁从主束运线上切割出来，经过一定的动力学制备，有效地传送到一个小实验区，为同时使用ＨＩＲＦＬ的ＳＳＣ中能束流和ＳＦＣ低能束流进行两种物理实验提供了可能性。
3.
A new branch beam line downstream of the stripper located between SFC and SSC is designed to collect the beams with the charge states other than the most intensive one.
介绍了通过剥离器后不同电荷态的束流在弯曲磁铁中的传输情况,由此引出一种切割束流的方法,在此基础上设计了一条支束线,以实现两个实验终端同时供束,增加供束时间。
2) charge states
电荷态
1.
Wake effects on charge states and molecular-axis orientations of fast diatomic molecular ions in solids;
尾流效应对快速双原子分子离子在固体中电荷态及分子轴取向的影响
3) state of charge
荷电状态
1.
New definition method of state of charge for batteries in HEV;
混合动力电动车电池荷电状态描述方法
2.
In situ monitoring of state of charge for positive electrolyte of vanadium battery
钒电池正极电解液荷电状态的原位监测
3.
Prediction of the state of charge (SOC) of MH/Ni battery is very important for battery management system of electric vehicles.
电动车电池管理系统的核心任务是对电池荷电状态(SOC)进行预测。
4) SOC
荷电态
1.
If the battery is shelved for 10-15 days at 20% SOC and then we can judge.
氢镍动力电池搁置过程中的自放电不一致性直接影响到电池的实际应用,静态搁置电压是电池的重要荷电态参数之一,可作为电池自放电性能的重要判据,进行电池自放电的分选,该方法通过大量试验表明十分有效,且简单易行。
5) State of charge(SOC)
荷电状态
1.
It was very importance for the battery management system in electric vehicles to measure and estimate the state of charge(SOC) of lead-acid batteries.
铅酸电池的荷电状态 (SOC)的测量和估计 ,对电动汽车的电池管理系统极为重要。
2.
For predicting the state of charge(SOC)of lithium-ion rechargeable battery accurately,a method based on electrochemical impedance spectroscopy was presented.
为了准确预测使用过程中的电池荷电状态,提出了电化学阻抗谱预测法。
3.
State of charge(SOC) of batteries,determined by materials and manufacture,operating temperature,charge/discharge current and frequencies,is a typical nonlinear time-varying system,and the corresponding model for state estimation is characterized by parameter uncertainty because of noise involved in measuring process.
针对蓄电池系统的荷电状态(SOC)受蓄电池材料及加工制作、工作温度、充放电大小及频率等因素的影响,是一个典型的非线性时变系统,相应的状态估计模型在测量过程中存在噪声干扰引起模型参数不确定性的特征。
6) state of charge
荷电态
1.
There is a linear relationship between open circuit voltage(OCV) and state of charge(SOC) for lead acid starter battery,so it would be possible to deduct the discharging capacity or SOC from its OCV usually.
起动型铅蓄电池的开路电压跟荷电态之间存在线性关系,因而可以根据开路电压来推断电池的放电容量或荷电态。
2.
The impedance characteristics of commercial Li ton battery are investigated in details with respect to the different state of charge.
交流阻抗谱技术在电化学能源领域获得广泛应用,包括研究电极过程动力学,腐蚀特征,电沉积现象详细研究了不同荷电态时商业化锂离子电池的阻抗谱分析了等效电路参数与荷电态的关
3.
The results show that the charge current of each branch battery is distributed according to state of charge(SOC) during the parallel charge process.
用恒流并联充电法对Cd-Ni电池组充电并对充放电过程进行研究,结果表明:并联充电过程中各支路电池的充电电流是按电池的荷电态来分配的,荷电态高的电池分配的电流小,荷电态低的电池分配的电流大,随着充电的进行,各支路电流的差值经过一定的波动逐渐减小,最终电流趋于一致,完成充电过程。
补充资料：氧化层电荷与界面态
氧化层电荷是SiO2-Si系统中存在于SiO2内和SiO2-Si界面上的电荷。热生长SiO2-Si系统(见硅热氧化工艺)是MOS晶体管的一个组成部分,也是硅平面晶体管和集成电路的保护层。热生长SiO2-Si系统中的氧化层电荷,直接影响 MOS晶体管的阈值电压、有效迁移率和器件的可靠性,从而影响MOS大规模集成电路和超大规模集成电路的成品率和可靠性，以及硅平面双极型晶体管的漏电流、噪声、小电流β等参数。
早期的MOS结构中氧化层电荷非常多,各种电学参数很不稳定。60年代初,发现氧化层中的可动离子电荷(主要是钠离子)是造成这种不稳定性的主要原因。这一发现是MOS器件发展中的一件大事。事实上,只有当钠离子沾污基本上被控制以后,才能制成工作比较稳定的MOS晶体管。
氧化层电荷种类 在SiO2－Si系统中存在四种氧化层电荷。①可动离子电荷：氧化层中的可动离子电荷主要是带正电荷的碱金属离子，如Na+、K+、Li+、Cs+等。有人认为，除离化的碱金属离子外，还有数量相当大的未离化的碱金属原子存在，而且氢离子(H+)也是氧化层中的一种可动正离子。此外，在氧化层中还可能有重金属的正离子和某些负离子，如OH-、O娛等。但是,普遍认为，在低于500℃的环境中,重金属离子和负离子难于运动。②氧化层固定电荷：这是一种固定不动的，也不能与硅内进行电量交换的正电荷。它们分布在距离Si-SiO2界面约25埃以内的氧化层中。由于热氧化过程的特点，这一层中的硅和氧组份的比例，不是SiO2那样严格的化学配比。因此，这一层由于富硅缺氧引起的结构缺陷是很多的，氧化层固定电荷很可能是这一层中的离化的硅或氧空位所引起的。③界面陷阱电荷：这种电荷分布在SiO2-Si界面上，与前面电荷不同,能够与硅体内进行电量交换，而且可以是正电荷也可以是负电荷。严格来说，界面上允许电子填充的能级叫做界面态。界面态可以是带电的，也可以是中性的。人们关心的是那些能量在硅禁带范围内的界面态。比较一致的看法是禁带中界面态密度（单位截面单位能量间隔中的界面态数）按能量的分布是一种U型分布,即禁带中央部分的界面态密度较低，而靠近两个带边的界面态密度增高。实验证明，部分界面陷阱电荷可以在含有氢气的气氛中在 450℃左右的低温退火中被中和。一般的看法是,SiO2-Si界面上硅的悬挂键、界面上的结构缺陷（如辐射引起的断裂键）和界面上存在的杂质原子都会引起界面态。④氧化层陷阱电荷：在SiO2体内存在着空穴陷阱态和电子陷阱态，可以分别陷住进入SiO2空穴和电子，而分别使之带正电和负电。SiO2中的空穴和电子可以通过离化辐射、雪崩注入或能量大于SiO2禁带宽度(约 9电子伏)的紫外光子激发等产生。所以，这种电荷最初又叫做离化感应电荷。相当一部分氧化层陷阱电荷也能通过低温 (＜500)退火被中和。
氧化层电荷测量 可动离子电荷、氧化层固定电荷和氧化层陷阱电荷通常用高频C－V法测量。测量可动离子电荷时还须对样品进行温度-偏压处理，即升温到150～300,同时在金属电极上加不同极性的电压，维持约半小时,让可动离子全部移动到SiO2-Si界面附近或二氧化硅-金属界面附近。两次高频C-V特性的平带电压之差墹VFB与Qm 之间的关系为 Nm＝Qm/q＝Cox·墹VFB/q，式中Cox为单位面积氧化层电容。为了用高频C－V的平带电压测量氧化层固定电荷，需要把其他三种电荷对平带电压的影响减至最小，即首先把样品在含氢气氛中进行低温处理，把大部分界面陷阱电荷和氧化层陷阱电荷中和,再作负温度偏压处理把可动正离子吸到二氧化硅-金属界面附近。这样，所测得的平带电压与固定氧化层电荷的关系为Qf/q＝(-VFB+φms)·Cox/q，式中φms为金属与半导体的接触电势差。氧化层陷阱电荷的测量通常是比较空穴(或电子)陷住前、后的高频C－V特性的平带电压之差，等效到 SiO2-Si界面的氧化层陷阱电荷为Nto=Qot/q＝Cox·墹VFB/q。由于氧化层陷阱电荷是分布在SiO2体内的，实际的电荷数比等效值为大。
利用界面陷阱电荷能与硅体内交换电量的性质测量界面陷阱电荷,是各种界面态测量方法的基础。改变MOS电容两端电压的大小和极性，以及硅的表面势，界面态便随着表面势的变化而充、放电、监测充、放电荷或电流，或者监测由于界面态充、放电引起的电导或电容的变化，可测量界面陷阱电荷和界面态密度随能量的分布，测量界面态电荷和界面态密度随能量的分布。测量界面态电荷量通用的方法是准静态C－V法，其次还有电导法、高频C－V法、低温高频C－V法以及深能级瞬态谱法和充、放电电荷法等。
参考书目
叶良修：《半导体物理学》，高等教育出版社，北京， 1985。
早期的MOS结构中氧化层电荷非常多,各种电学参数很不稳定。60年代初,发现氧化层中的可动离子电荷(主要是钠离子)是造成这种不稳定性的主要原因。这一发现是MOS器件发展中的一件大事。事实上,只有当钠离子沾污基本上被控制以后,才能制成工作比较稳定的MOS晶体管。
氧化层电荷种类 在SiO2－Si系统中存在四种氧化层电荷。①可动离子电荷：氧化层中的可动离子电荷主要是带正电荷的碱金属离子，如Na+、K+、Li+、Cs+等。有人认为，除离化的碱金属离子外，还有数量相当大的未离化的碱金属原子存在，而且氢离子(H+)也是氧化层中的一种可动正离子。此外，在氧化层中还可能有重金属的正离子和某些负离子，如OH-、O娛等。但是,普遍认为，在低于500℃的环境中,重金属离子和负离子难于运动。②氧化层固定电荷：这是一种固定不动的，也不能与硅内进行电量交换的正电荷。它们分布在距离Si-SiO2界面约25埃以内的氧化层中。由于热氧化过程的特点，这一层中的硅和氧组份的比例，不是SiO2那样严格的化学配比。因此，这一层由于富硅缺氧引起的结构缺陷是很多的，氧化层固定电荷很可能是这一层中的离化的硅或氧空位所引起的。③界面陷阱电荷：这种电荷分布在SiO2-Si界面上，与前面电荷不同,能够与硅体内进行电量交换，而且可以是正电荷也可以是负电荷。严格来说，界面上允许电子填充的能级叫做界面态。界面态可以是带电的，也可以是中性的。人们关心的是那些能量在硅禁带范围内的界面态。比较一致的看法是禁带中界面态密度（单位截面单位能量间隔中的界面态数）按能量的分布是一种U型分布,即禁带中央部分的界面态密度较低，而靠近两个带边的界面态密度增高。实验证明，部分界面陷阱电荷可以在含有氢气的气氛中在 450℃左右的低温退火中被中和。一般的看法是,SiO2-Si界面上硅的悬挂键、界面上的结构缺陷（如辐射引起的断裂键）和界面上存在的杂质原子都会引起界面态。④氧化层陷阱电荷：在SiO2体内存在着空穴陷阱态和电子陷阱态，可以分别陷住进入SiO2空穴和电子，而分别使之带正电和负电。SiO2中的空穴和电子可以通过离化辐射、雪崩注入或能量大于SiO2禁带宽度(约 9电子伏)的紫外光子激发等产生。所以，这种电荷最初又叫做离化感应电荷。相当一部分氧化层陷阱电荷也能通过低温 (＜500)退火被中和。
氧化层电荷测量 可动离子电荷、氧化层固定电荷和氧化层陷阱电荷通常用高频C－V法测量。测量可动离子电荷时还须对样品进行温度-偏压处理，即升温到150～300,同时在金属电极上加不同极性的电压，维持约半小时,让可动离子全部移动到SiO2-Si界面附近或二氧化硅-金属界面附近。两次高频C-V特性的平带电压之差墹VFB与Qm 之间的关系为 Nm＝Qm/q＝Cox·墹VFB/q，式中Cox为单位面积氧化层电容。为了用高频C－V的平带电压测量氧化层固定电荷，需要把其他三种电荷对平带电压的影响减至最小，即首先把样品在含氢气氛中进行低温处理，把大部分界面陷阱电荷和氧化层陷阱电荷中和,再作负温度偏压处理把可动正离子吸到二氧化硅-金属界面附近。这样，所测得的平带电压与固定氧化层电荷的关系为Qf/q＝(-VFB+φms)·Cox/q，式中φms为金属与半导体的接触电势差。氧化层陷阱电荷的测量通常是比较空穴(或电子)陷住前、后的高频C－V特性的平带电压之差，等效到 SiO2-Si界面的氧化层陷阱电荷为Nto=Qot/q＝Cox·墹VFB/q。由于氧化层陷阱电荷是分布在SiO2体内的，实际的电荷数比等效值为大。
利用界面陷阱电荷能与硅体内交换电量的性质测量界面陷阱电荷,是各种界面态测量方法的基础。改变MOS电容两端电压的大小和极性，以及硅的表面势，界面态便随着表面势的变化而充、放电、监测充、放电荷或电流，或者监测由于界面态充、放电引起的电导或电容的变化，可测量界面陷阱电荷和界面态密度随能量的分布，测量界面态电荷和界面态密度随能量的分布。测量界面态电荷量通用的方法是准静态C－V法，其次还有电导法、高频C－V法、低温高频C－V法以及深能级瞬态谱法和充、放电电荷法等。
参考书目
叶良修：《半导体物理学》，高等教育出版社，北京， 1985。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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