1) hole mobility
空穴迁移率
1.
cm, and the highest hole mobility of the film is 50cm2/V.
ｃｍ，最大空穴迁移率为５０ｃｍ／Ｖ。
2.
Based on the consideration of the strain-effect in Si1-xGex alloy band,a semi-epirical hole mobility model in inversion channel of the Si1-xGexpMOSFET is founded.
在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,建立了一个半经验的Si1-xGexpMOSFET反型沟道空穴迁移率模型。
3.
A semi-experienced low-field hole mobility model of a strained Si_(1-x)Ge_x/Si pMOSFET is proposed by considering the effect of the strain on the energy-band structure of SiGe alloy.
在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,提出了一个半经验的应变Si1-xGex/Si pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型。
2) hole drift mobility
空穴漂移迁移率
3) hole mobility enhancement
空穴迁移率增强
4) Hole transfer
空穴迁移
5) hole mobility
空穴漂移率
6) vacancy mobility
空位迁移率
补充资料：电子迁移率检测器
分子式：
CAS号：
性质：β粒子与载气氩分子间的碰撞是弹性的，而与试样分子间的碰撞则是非弹性的，即总伴有能量损失。适当选择脉冲持续时间，使快电子能够完全到达正极，而慢电子则不能到达。当试样进入后，快电子所产生的电流就会改变，从而输出信号。
CAS号：
性质：β粒子与载气氩分子间的碰撞是弹性的，而与试样分子间的碰撞则是非弹性的，即总伴有能量损失。适当选择脉冲持续时间，使快电子能够完全到达正极，而慢电子则不能到达。当试样进入后，快电子所产生的电流就会改变，从而输出信号。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条