补充资料：调制光谱

调制光谱
modulation sPeetroseoPy

调制光谱modulation Speetroseopy在测量固体的光谱时，在被测样品上加上周期变化的外部物理量，如电场、磁场、应力及温度等进行调制(外部调制法)，或利用一种叫做波长调制的方法(内部调制法)，通过相敏检测以获得微分光谱的一种光谱测量技术。调制光谱的特点是灵敏度和分辨率高，所得到的光谱结构的定域性强，因而能强烈地抑制背景信号的干扰。调制光谱方法已被广泛应用于获得固体材料能带结构及其他物理参数等信息。 利用外加电场的调制进行反射和吸收调制光谱测量的方法，常被称为电吸收光谱和电反射光谱，这种方法对半导体能带结构的研究具有特别重要的意义。用电反射和电吸收光谱研究半导体中电子从价带向导带发生的本征带间跃迁时，光谱特征主要与半导体中临界点(光学跃迁联合态密度的奇点)附近介电函数在电场微扰作用下所产生的变化有关。光谱线形取决于电调制的机理和临界点的类别。对于半导体材料，在弱场下电场调制主要是通过弗兰兹一凯尔迪什效应产生的，调制光谱与未调制光谱的三阶微商成正比。在样品上加调制电场的方法有多种，一般可利用透明的电解液或在样品上制备半透明的肖特基结形成透光的电极，相应的调制反射光谱方法被称为电解液电反射光谱或称为肖特基结电反射光谱。 用斩波的激光束照射半导体样品表面，使半导体表面势垒层中的电场受到周期性的调制，也能对样品表面产生电调制作用。用光照来进行调制反射光谱测量的方法叫做光反射谱，其优点是样品上不必制备电极，测量是非破坏性的。近年来，已利用光反射调制光谱对量子阱、超晶格材料的能带结构和材料参数进行了深入的研究。在二维结构的多量子阱材料中，电场引起的调制主要是由量子限制的斯塔克效应引起的，因而调制光谱具有一阶微商线形的特征。 (江德生)

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