1) laser photodecomposition material
激光光解材料
2) laser materials
激光材料
1.
In this paper the progress of materials for photonics,such as laser materials,materials of photon induced optical memory,photon probe materials and transformation materials for photon frequency,polar state and mode have been reviewed.
本文综述了几种光子学材料的发展，重点介绍了激光材料和光子存储材料。
2.
In this paper,several typical optical function materials are de-scribed,and the research progress and application development of laser materials, nonlinear optical materials and optical recording materials are reviewed.
介绍了几种典型的光功能材料,并对激光材料、非线性光学材料、光记录材料的研究进展及应用开发进行了综述。
3.
The spectral and thermal parameters of different kinds of Yb-doped laser materials are compared, and their applications are also analyzed.
比较了各种掺Yb激光材料的光谱学以及热学参数,分析了不同的掺Yb激光材料的各自用途。
3) laser material
激光材料
1.
The preparation of transparent Mn:MgAl_2O_4 ceramics with potential applications in the field of visible-band ceramic laser material and their light transmission,microstructure and photoluminescence properties were investigated by ultraviolet-visible spectrometer,scanning electron microscopy and fluorescence spectrometer,respectively.
通过紫外可见分光计、扫描电镜、荧光分光计等测试手段研究了可望用于可见波段的新型激光材料Mn:MgAl_2O_4透明陶瓷的光学透过率、微观形貌和光荧光特性。
2.
Yttrium aluminum garnet (Y3 Al5O12) transparent ceramie activated by neodymium is a new generation of solid-state laser material.
掺钕钇铝石榴石(Nd:YAG)透明陶瓷是新一代固体激光材料。
4) active material
激活材料<光>
5) photocatalytic materials
光降解材料
补充资料：光记录和存储用半导体激光材料
光记录和存储用半导体激光材料
semiconductor laser materials for optical recording and storage
光记录和存储用半导体激光材料semiconduc-tor laser materials for oPtieal reeordiflg and storage用于制作光盘写入与读出的激光二极管的半导体材料。各种光盘常用激光二极管的发射波长和主要性能见表1。实用的激射0.78#m、0.82召m波长的光记录和存储用半导体激光材料有AIGaAs/GaAs，InGaAsP/InGaP/GaAs。 组成和性能AIGaAs、 InGaAsP、InGaP、GaAs同属111一V族化合物半导体。AIGaAs、InGaP是由AIAs、GaAs和InP、GaP二元化合物按一定比例组成的三元系化合物。InGaAsP是由InP、GaAs和GaP或InAs组成的四元系化合物。这些材料的晶体均为立方晶系闪锌矿结构，重要晶面有(1 00)、(l 10)和(111)，其中(110)为自然解理面。表1光盘用半导体激光二极管性能┌──────┬─────┬────┬────┬───┐│俞鹦 │视频光盘 │声频光盘│数据光盘│打印 │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│波长(召m) │0 .78 │0 .78 │0 .82 │0 .78 │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│输出功率 │5 │5 │20一30 │5 ││ (mw) │ │ │ │ │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│方向性(比率)│2一3 │2一3 │2一3 │2一3 │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│象散(一，m) │<10 │<10 │<3 │<2 │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│相对强度噪声│<5X10一14 │<10一11 │<10一11 │ ││ │ │一10一12│一10一”│ │├──────┼─────┼────┼────┼───┤│寿命(小时) │>2X104 │)2X104 │)2火104 │>2X104│└──────┴─────┴────┴────┴───┘ AlxGal一xAs(x(0 .45)，InGaP，Inl一x GaxAs，-Pl一y、GaAs晶体能带均为竖直跃迁结构，具有很高的发光效率。其发光波长取决于他们的禁带宽度。
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参考词条