1) Photobacteridal material
光学灭菌材料
2) optical material
光学材料
1.
Simulation of optical material under laser irradiation: melting,vaporization and ablation;
光学材料在激光辐照下熔化、汽化相变烧蚀数值模拟
2.
This new optical property will be expected to extend the potential applications of HTlc in optical material fields.
这一光学功能的发现将有助于类水滑石在光学材料领域中的进一步应用。
3.
The properties,synthesis and application of MCM-41 mesoporous zeolites in catalysis,adsorption,nanometer material,optical material and environmental protection were reviewed,and their prospects were discussed.
介绍了MCM-41型中孔分子筛的性能、合成过程和近年来在催化、吸附、纳米、光学材料和环保等领域的应用情况,并对MCM-41的发展前景进行了展望。
3) optical materials
光学材料
1.
Rapid detection of subsurface damage of optical materials in lapping process and its influence regularity;
光学材料研磨亚表面损伤的快速检测及其影响规律
2.
Study on effects of simulated space radiation environment on optical materials;
空间辐照环境对光学材料作用效应的模拟研究
3.
Study on the laser induced damage and the enhancing methods for optical materials;
光学材料的激光损伤及其增强研究
4) materials for photonics
光子学材料
1.
In this paper the progress of materials for photonics,such as laser materials,materials of photon induced optical memory,photon probe materials and transformation materials for photon frequency,polar state and mode have been reviewed.
由于信息技术要求高速度，因此光子学材料要求有短的时间响应，宏观上要求低维，易于光集成，微观上希望是纳米尺寸的复合。
5) Feed sterilization
饲料灭菌
补充资料：半导体材料的光学性质
半导体材料的光学性质
optical property of semiconductor
bondaotl eol}旧0 de guongxue xjngzhl半导体材料的光学性质(optieal property ofsemiconduetor)半导体材料中原子、电子与光子的相互作用涉及到半导体材料对光的透射、吸收和发光。半导体材料的光学性质与半导体材料的禁带宽度E:及材料中的杂质原子种类和状态密切相关，导致各类半导体材料在化学性质上有很大差异。 透射可见光的光子能量在1一3eV范围内，因此对于E:>3eV的晶体(大多是绝缘体)可见光将不被吸收，这样的材料是透明或接近透明的。对于E:小的晶体，例如金属的E:一o，透入的可见光将全部被吸收，材料不透明。半导体材料的Eg在接近3eV时呈半透明状，Eg小的半导体材料对可见光不透明，但大部分半导体对于波长较长的红外光则是透明的。 吸收光照射到半导体上，除部分反射外，一部分将透入半导体。光子能量凡>E，时，价带中的电子吸收后，可激发到导带中去，在价带中留下空穴。这种由光照引起的载流子浓度的增加，导致电导率的增加，称为光电导。△，~q(△n产n+△P产p)，式中，为电导率，△n和△P为光注入的非平衡载流子浓度;q为电子电量;群。和产。分别为电子和空穴迁移率。光照引起本征激发，称为本征光电导，光照引起杂质激发，称方杂质光电导。根据这一原理可制作光敏电阻。 在弱光照的条件下，少数载流子可增加几个数量级，而多数载流子增加不多。在停止光照后，增加的少数载流子将被复合掉。非平衡少数载流子从产生到复合掉的平均时间:称为少子寿命。显然如果禁带中存在着深能级，又称复合中心，将大大增加复合率和产生率，会使它变小。 发光光照或加以电场的作用，可以使半导体材料中的电子处于激发态，这些处于激发态的电子必然会向较低的能级跃迁，并以光辐射的形式释放出能量，这就是半导体材料的发光现象。由于硅、锗的能带结构属于间接能隙，导带底不在叉一。处，因此在复合过程中必须通过声子和复合中心进行，这样的复合一般是非辐射性的。但砷化稼与硅、锗不同，它的导带底和价带顶都位于叉~o处，是直接能隙材料，导带中的电子可以直接与价带中的空穴复合发射出能量w一E:的光子。按激发的方式，半导体发光可分为场致发光(电致发光)或光致发光。发光二极管一般采用场致发光。 (施钵行)
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参考词条