2) crystallographic parameters
晶体学参数
4) device parameter
器件参数,晶体管参数
5) crystal chemistry parameters
晶体化学参数
6) Crystal resonant cauity parameter
晶体谐振腔参数
补充资料:晶体管电参数测量
晶体管电参数包括直流参数、器件参数、频率参数、网络参数、特殊参数和极限参数。
测量晶体管直流参数的直观方法是使用晶体管特性曲线图示仪。在被测器件的输入端注入一个阶梯扫描电流,在输出端就可以看到输出电流-电压关系曲线。图1为共发射极输出特性曲线,根据这一曲线可以近似求出击穿电压、电流放大系数和饱和压降。
表征频率特性的最常用参数是特征频率fT。图2是││随频率的变化关系,当测量频率f0>(3~5)时(图中斜线的区域),满足fT=||·f0为一常数。式中||是共发射极输出短路时的电流放大系数的模值;是共发射极电流放大系数截止频率。这个关系使测量频率可选取在远低于fT的频率上。测量fT的系统框图如图2b。还可以将被测晶体管作为二端口网络,用网络分析仪来测量晶体管的S参数。
晶体管电参数的测量逐渐实现自动化,从直流到高频范围的测量已基本上达到自动分选。微波参数(例如噪声系数)的测量可通过配有微型计算机的系统在几秒钟内得出结果,甚至能扫描测出噪声系数的频率特性。
测量晶体管直流参数的直观方法是使用晶体管特性曲线图示仪。在被测器件的输入端注入一个阶梯扫描电流,在输出端就可以看到输出电流-电压关系曲线。图1为共发射极输出特性曲线,根据这一曲线可以近似求出击穿电压、电流放大系数和饱和压降。
表征频率特性的最常用参数是特征频率fT。图2是││随频率的变化关系,当测量频率f0>(3~5)时(图中斜线的区域),满足fT=||·f0为一常数。式中||是共发射极输出短路时的电流放大系数的模值;是共发射极电流放大系数截止频率。这个关系使测量频率可选取在远低于fT的频率上。测量fT的系统框图如图2b。还可以将被测晶体管作为二端口网络,用网络分析仪来测量晶体管的S参数。
晶体管电参数的测量逐渐实现自动化,从直流到高频范围的测量已基本上达到自动分选。微波参数(例如噪声系数)的测量可通过配有微型计算机的系统在几秒钟内得出结果,甚至能扫描测出噪声系数的频率特性。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条