1) La 1-xPr xP 5O 14 crystal
La1-xPrxP5O14晶体
2) La_(1-x)Sr_xCoO_3 powder
La1-xSrxCoO3粉体
3) La_(1-x)Pb_xMnO_3
La1-xPbxMnO3
1.
The photocatalysts La_(1-x)Pb_xMnO_3 were prepared by coprecipitation.
首次采用共沉淀方法制备了复合氧化物光催化剂La1-xPbxMnO3,使用XRD,IR,UV Vis等方法对其进行了表征,其结构均为钙钛矿型;利用染料活性艳红水溶液在光照下和不同催化剂作用下的脱色率变化,探讨了这一系列光催化剂的光催化活性。
4) La_ 1-xCe_xSrNiO_4
La1-xCexSrNiO4
5) La 1-x Sr x CoO 3
La1-xSrxCoO3
6) La 1-x Nd x CrO 3
La1-xNdxCrO3
1.
The bond covalency,bond susceptibility and macroscopic linear susceptibility in La 1- x Nd x CrO 3(x=0.
使用复杂晶体化学键理论计算了La1-xNdxCrO3 (x =0 。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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