1) Defect hydroxyl
空穴羟基
2) hole-transporting moieties
空穴传输基团
3) Void
[英][vɔɪd] [美][vɔɪd]
空穴
1.
Design method of reinforcement over voids and discussion;
空穴加筋的设计方法及讨论
2.
Furthermore,three ductile damage mechanisms were proposed,which are shear damage without the influence of voids, shear-form void damage and tensile form void damage.
以45中碳钢为研究对象,进行了拉伸、压缩、扭转、精冲实验,并结合有限元对各实验过程中的应力三轴度和延性损伤进行了分析,归纳了金属材料的3种延性损伤机理:无空穴影响剪切损伤、剪切型空穴损伤和拉伸型空穴损伤。
3.
The isolated big void behavior in the tension PM specimen has been ana lyzed by Gurson constitutive model.
讨论了不同位置和不同形状的微空洞对空穴形核、长大及材料的破坏机理的影响。
4) hole
[英][həʊl] [美][hol]
空穴
1.
Essential Explain on Holes——misunderstanding for the concept of holes in some electronic books can be dearified;
空穴的本质阐释——澄清一些电子学教材对空穴概念的不确切含义
2.
It was concluded that after hole-electron pairs were induced by ultraviolet light,the hole then oxidized methanol directly,forming methanol free radical cation,which would be further oxidized in the .
TiO2受光诱导生成空穴-电子对后,空穴直接氧化甲醇,生成的甲醇正离子在氧气作用下进一步被氧化,形成各种氧化产物。
3.
The hole-blocking characteristics of organic light emitting materials DPVBi were discussed.
讨论了有机发光材料4,4-′b is(2,2-′d iphenyl vinyl)-1,1-′b iphenyl(DPVB i),在结构为ITO/N,N-′b is-(1-naphthyl)-N,N-′d iphenyl-1,1-′b iphenyl-4,4-′d iam ine(NPB)/DPVB i/tris-(8-hydroxyqu inoline)alum inum(A lq3)/L iF/A l的有机电致发光器件中所表现出来的空穴阻挡特性。
5) cavity
[英]['kævəti] [美]['kævətɪ]
空穴
1.
Insulation effect of the cavity on stress wave;
空穴的绕射隔离效应和对后方应力波的削弱作用
2.
Study on Phenomenon of Negative Air Pressure of Cavity in Interfacial Medium with Tensile Test;
空穴负压现象的界面拉伸试验研究
3.
The relationship between the external load and the cavity radius was determined.
利用Gao Y C给出的一类应变能函数,在有限变形动力学的框架内分析了不可压缩均匀球体突受拉伸恒载作用时空穴的动态生成和分叉问题。
6) vacancy
[英]['veɪkənsi] [美]['vekənsɪ]
空穴
1.
What in discussion is the effect of grain boundary (GB) on the growth of vacancy in crystal.
用分子动力学方法模拟了Σ9对称倾侧晶界铜双晶在拉伸变形过程中晶界对空穴扩展的影响。
补充资料：《半导体中的电子和空穴》
关于半导体物理和晶体管电子学理论的权威著作，美国物理学家、晶体管发明人之一W.B.肖克莱著，1950年出版。本书总结对半导体中物理过程的认识，阐述晶体管电子学的理论基础。作者在本书中首次把半导体物理中关于电子过程的基本理论、半导体器件分析、设计和电路应用等内容称为晶体管电子学。本书对半导体物理的发展具有重要意义。全书分为三部分，共17章。第一部分为晶体管电子学引论，利用半导体实验所得到的结果阐明一些理论概念，特别是对电子空穴的注入问题进行了定量研究；第二部分是关于半导体的描述性理论，讨论了半导体中的电子能态、电子和空穴在电磁场中的行为，以及电导率和霍尔效应理论等；第三部分为量子力学基础，叙述基本量子理论如何导致产生电子和空穴的抽象概念，讨论了半导体的统计理论和电子、空穴的跃迁几率理论，论述了与电子导电有关的课题，如电子和空穴的速度、电流和加速度的理论等。本书中所采用的一些基本物理概念和理论分析在后来的半导体物理研究中得到了广泛应用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条