补充资料：II-VI族化合物半导体

分子式：
CAS号：

性质：元素周期表中II族元素Zn，Cd，Hg和Ⅵ族元素S，Se，Te所形成的化合物半导体材料，II-VI族化合物的表示式为A(II)B(VI)，即ZnS，ZnSe，ZnTe，CdS，CdSe，CdTe，HgS，HgSe和HgTe。其中α-ZnS，α-CdS和CdSe为纤维锌矿结构，其余均为闪锌矿结构。由于II族元素Zn，Cd，Hg和VI族元素S，Se，Te都是挥发性组元，因此II-VI族化合物在它们的熔点时具有很高的蒸气压，如ZnS熔点蒸气压为l×107pa。多数II-VI族化合物熔点高，蒸气压大，因而按正化学计量化和完整的II-VI族化合物单晶制备较困难。制备主要方法有升华法、气相合成法、高压熔体生长法和移动溶剂法等。II-VI族化合物具有直接跃迁型的能带结构和宽禁带的特点，因此在激光、红外、发光等方面具有广泛的应用。

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