补充资料：二磷化锗锌晶体

分子式：ZnGeP₂
CAS号：

性质：周期表Ⅱ,IV,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿结构。晶格常数0.5465nm。为直接带隙半导体。室温禁带宽度2.42eV。一般为p型半导体,空穴迁移率为1.5×10-3m2/(V·s)。熔点1280℃。采用布里奇曼法、区域熔炼法、锌液中生长等法制取。为可见光发光材料和非线性光学材料。

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