1) chemical defect clusters
化学缺陷团簇
2) point defect cluster
点缺陷团簇
3) defect chemistry
缺陷化学
1.
Based on the defect chemistry of undoped barium plumbate(BaPbO3),the charge compensating mechanism of acceptor-doped BaPbO3 was discussed by the measure-ment of the equilibrium electrical conductivity by a four-probe direct current technique as a function of oxygen pressure.
在未掺杂铅酸钡(BaPbO3)缺陷化学研究的基础上,采用高温平衡电导法分析了铝(Al)受主掺杂BaPbO3的缺陷补偿机理,建立了受主掺杂BaPbO3的缺陷化学模型。
2.
Based on the defect model of BaPbO3,the influence of defect chemistry on room-temperature conductivity is discussed.
用高温平衡电导法研究了未掺杂铅酸钡(BaPbO3)陶瓷的缺陷化学,确定了未掺杂BaPbO3材料的缺陷化学模型,同时,从BaPbO3材料的缺陷结构的角度讨论了热处理气氛对材料室温电导率的影响。
3.
The defect chemistry of long afterglow material SrAl_2O_4∶Eu,Dy was analyzed in de.
缺陷化学分析结果认为,所掺杂的稀土离子取代SrAl2O4晶格中的Sr2+离子格位,产生缺陷EuSr×,EuS。
5) defect clusters
缺陷丛簇
6) defect cluster
缺陷团
1.
The analysis reveals that defect clusters are present in GaN films and their concentration increases as the density of threading dislocations increases.
结果表明,GaN薄膜中存在缺陷团,其浓度随着穿透位错密度的增加而增加,其平均半径呈相反趋势。
补充资料：缺陷簇
分子式：
CAS号：
性质：又称缔合缺陷（aggregation defect）。晶体中的缺陷并非总是孤立的，特别是当缺陷带有具有异性电荷时，缺陷之间存在有一定的库仑引力，可以形成缺陷簇。如KCl掺杂CaF2可以形成杂质缺陷CaK·和空位缺陷V′K，两者带有相反的有效电荷，可以形成缔合缺陷(CakVk)×。缺陷簇的光学和电学性能与孤立的点缺陷有所不同。
CAS号：
性质：又称缔合缺陷（aggregation defect）。晶体中的缺陷并非总是孤立的，特别是当缺陷带有具有异性电荷时，缺陷之间存在有一定的库仑引力，可以形成缺陷簇。如KCl掺杂CaF2可以形成杂质缺陷CaK·和空位缺陷V′K，两者带有相反的有效电荷，可以形成缔合缺陷(CakVk)×。缺陷簇的光学和电学性能与孤立的点缺陷有所不同。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条