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1)  secondary ion mass spectrum (SIMS)
飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)
2)  Time-of-flight secondary ion mass spectrometry(TOF-SIMS)
飞行时间次级离子质谱(TOF-SIMS)
3)  TOF-SIMS
飞行时间二次离子质谱
1.
Measurement of Lead Isotpe by TOF-SIMS;
铅同位素比值的飞行时间二次离子质谱法测量
2.
Study on TOF-SIMS of desmocollinite of C-P coals in Bohaiwan Basin;
渤海湾盆地石炭纪-二叠纪煤中基质镜质体飞行时间二次离子质谱研究
3.
Two major constituents in molding material, cresol epoxy resin and phenolformaldehyde resin, typically used in microelectronics packaging have been characterized by time of flight secondary ion mass spectrometry(TOF-SIMS) together with silver cationization technique.
用飞行时间二次离子质谱（ＴＯＦ－ＳＩＭＳ）结合银离化的方法研究了集成电路封装中常用的环氧模塑料的两种主要成分：邻甲酚环氧树脂和线型酚醛树脂。
4)  Secondary Ion Mass Spectroscopy
二次离子质谱(SIMS)
5)  matrix assisted laser desorption/ionization-time of flight mass spectrometry
激光解吸离子化-飞行时间质谱(MALDI-TOF-MS)
6)  Matrix assisted laser desorption/ ion
激光解析离子化-飞行时间质谱(MALDI-TOF-MS)
补充资料：二次离子质谱分析


二次离子质谱分析
secondary ion mass spectrometry

二次离子质谱分析seeondaryi。n massspectrometry用质谱分析研究一次离子束轰击固体表面时溅射出来的二次离子，从而获得固体表面组成信息的方法。它能以很高的灵敏度(ppm至ppb级)对固体材料进行表面微区分析、深度分析、块体分析及图象分析，其范围包括从氢到铀的各种元素和同位素，目前深度分辨率已达30埃，成象的横向分辨率可达300埃。 二次离子发射机制是二次离子质谱的物理基础，目前有以下几种机理:①局部热力学平衡机制(LTE)。C.A.安德森和J.R.欣索恩认为，当一次离子轰击固体表面时，溅射区形成一层密集等离子体，其中的离子、电子、原子及分子之间处于局部热平衡状态，它们的平衡浓度可用萨哈方程来预言。②动力学模型。P.乔伊斯和R.卡斯坦等认为，固体表面发出的粒子呈中性准稳态，在表面附近这些粒子发生再激发而形成二次离子，并伴随俄歇电子发射。③键断模型。当一次离子束轰击化合物表面时，化合键断裂而形成原子(或分子)离子。④量子力学模型。J.M.施罗尔假设溅射原子以中性非激发状态离开表面，然后由于原子的价电子发生量子力学跃迁，过渡到金属导带顶层而引起电离。 二次离子质谱仪器可分为两类:①能显示离子图象的离子质谱仪，如离子探针;②不显象，有大束二次离子质谱仪。(陈廉)
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