1) two component mixed crystal
二元混晶
2) ternary mixed crystals
三元混晶
1.
Surface phonon-polaritons in slabs of polar ternary mixed crystals are investigated with the modified random-element-isodisplacement model and the Born-Huang approximation,based on Maxwell’s equations with the usual boundary conditions.
采用改进的无规元素孤立位移模型和波恩-黄近似,运用电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究极性三元混晶膜中的表面声子极化激元。
2.
The surface and interface phonon-polaritons in bilayer systems consisting of polar ternary mixed crystals are investigated in the modified random-element-isodisplacement model and the Born-Huang approximation,based on the Maxwell s equations with the boundary conditions.
采用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,运用电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了薄膜厚度对由极性三元混晶组成的双层薄膜系统中的表面和界面声子极化激元的影响。
3) Ternary mixed crystal
三元混晶
1.
Cyclotron mass of polaron in ternary mixed crystal A_xB_(1-x)C;
三元混晶A_xB_(1-x)C中极化子回旋质量
2.
The binding energy of an exciton in the ternary mixed crystals is calculated including the effect of phonons with the Haken′s potential.
导出了三元混晶中电子 -空穴对有效相互作用势 (哈肯势 ) ,研究了混晶效应对激子结合能的影响 。
3.
The magnetopolarons in ternary mixed crystals A x B 1-x C of polar crystals are studied by an intermediate coupling method in the modified random element isodisplacement (MREI) model and an effective phonon mode approximation (EPMA) are suggested.
分别在改进的无规孤立元素位移（ Ｍ Ｒ Ｅ Ｉ）模型和有效声子模近似（ Ｅ Ｐ Ｍ Ａ）下，用中间耦合法研究了极性晶体三元混晶 Ａｘ Ｂ１－ ｘ Ｃ中的磁极化子，导出了磁极化子的能级。
4) quaternary mixed crystal
四元混晶
1.
The four mode behavior and modes below 180cm -1 related with the interaction between the third nearest atoms in Ga x In 1- x As y Sb 1- y quaternary mixed crystals were observed from the Raman data, and the related phenomenon possibly arising from the multi phonon absorption process was ob.
报道了 MBE外延生长的 Gax In1 - x Asy Sb1 - y四元混晶的拉曼散射谱与远红外反射谱 ,并从拉曼散射谱中观察到了 Gax In1 - x Asy Sb1 - y四元混晶的晶格振动四模行为 ;从实验中还观察到低于 180 cm- 1的若干散射峰 ,提出它们可能是与次近邻原子间相互作用的晶格振动模式有关 ;从拉曼散射谱和红外反射谱中观察到了与 Gax In1 - xAsy Sb1 - y四元混晶多声子吸收过程的有关的现
2.
Quaternary mixed crystal semiconductor material has two independent components of variable,compared with the binary and ternary alloys,its lattice constant , band gap and other physical properties can be individually tuned by changing the composition.
四元混晶半导体材料具有两个独立的组分变量,同二元和三元材料相比,其晶格常数、禁带宽度和介电常数等物理性质可以通过改变混晶中各元素的组分比而更方便地人为改变。
5) dimesogenic liquid crystalline
二元液晶
6) binary eutectic
二元共晶
1.
Multi-phase field simulation of unidirectional solidification for binary eutectic alloys;
二元共晶定向凝固的多相场法数值模拟
补充资料：聚丙烯/二元乙丙橡胶共混物
分子式：
CAS号：
性质：系以聚丙烯为主，加入二元乙丙橡胶对其进行改性组成的多相共混物，一般乙丙橡胶的加入量为10％～25％，可改善聚丙烯韧性、低温冲击性，耐环境应力开裂性及对填料的包容性，保持良好的耐候性，但刚性有所下降。例如含20％乙丙胶的聚丙烯，其悬臂梁缺口冲击强度可提高10倍。乙丙橡胶的形态分布对共混物性能有很大影响，最佳粒径在0.5～2μm范围内。可直接熔融共混或反应器共混制备。用于汽车保险杠、防碎护板及缓冲器内装件等。
CAS号：
性质：系以聚丙烯为主，加入二元乙丙橡胶对其进行改性组成的多相共混物，一般乙丙橡胶的加入量为10％～25％，可改善聚丙烯韧性、低温冲击性，耐环境应力开裂性及对填料的包容性，保持良好的耐候性，但刚性有所下降。例如含20％乙丙胶的聚丙烯，其悬臂梁缺口冲击强度可提高10倍。乙丙橡胶的形态分布对共混物性能有很大影响，最佳粒径在0.5～2μm范围内。可直接熔融共混或反应器共混制备。用于汽车保险杠、防碎护板及缓冲器内装件等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条